Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET Gen III P溝道功率MOSFET具有極低導通電阻
2013-09-05 16:57:02 本站原創器件采用2mm x 2mm PowerPAK® SC-70封裝
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 9 月5 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，擴充其采用超小PowerPAK® SC-70封裝的TrenchFET® Gen III P溝道功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET是為在便攜式電子產品中節省空間及提高效率而設計的，占位面積只有2mm x 2mm，在-4.5V和-10V柵極驅動下的導通電阻是-12V、-20V和-30V(12V VGS和20V VGS)器件中最低的。
對于電源管理中的負載和電池開關，以及智能手機、平板電腦、移動計算設備、硬盤驅動器和固態驅動的同步降壓轉換應用里的控制開關，-12 V SiA467EDJ提供了13mΩ(-4.5V)的極低導通電阻。-20V SiA437DJ的導通電阻為14.5mΩ(-4.5V)，-30V SiA449DJ和SiA483DJ的導通電阻分別只有20mΩ(-10V)和21mΩ(-10V)。另外，SiA437DJ和SiA467EDJ的電流等級高達30A，承受很大的涌入電流，可用于負載開關。
器件的低導通電阻使設計者能在其電路中實現更低的壓降，更有效地使用電能，并延長電池壽命，同時這些器件的超小PowerPAK SC-70封裝可以節省寶貴的電路板空間。對于小型負載點(POL)DC/DC和其他同步降壓應用，MOSFET的P溝道技術不需要使用電平轉換電路或“自舉”器件，簡化了柵極驅動的設計。
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ進行了100%的Rg測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規格表：
|
編號 |
VDS (V) |
VGS (V) |
RDS(ON) (mΩ) @ |
||||
|
−10 V |
−4.5 V |
−2.5 V |
−1.8 V |
−1.5 V |
|||
|
SiA467EDJ |
-12 |
8 |
- |
13 |
19.5 |
40 |
- |
|
SiA437DJ |
-20 |
8 |
- |
14.5 |
20.5 |
33.0 |
65.0 |
|
SiA449DJ |
-30 |
12 |
20 |
24 |
38 |
- |
- |
|
SiA483DJ |
-30 |
20 |
21 |
30 |
- |
- |
- |
SiA467EDJ、SiA437DJ、SiA449DJ和SiA483DJ現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周到十四周。
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