Vishay Siliconix 擴展ThunderFET®的電壓范圍
2013-04-23 11:05:28 本站原創150 V N溝道TrenchFET®功率MOSFET為DC/DC應用提供18mΩ導通電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新款采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET®技術的電壓擴展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
今天發布的器件適用于DC/DC轉換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽能微逆變器和無刷直流電機的升壓轉換器中的初級側和次級側的同步整流。在這些應用當中，SiR872ADP的導通電阻比前一代器件低45%，可降低傳導損耗，提高系統的整體效率。
SiR872ADP在10V和7.5V下導通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC，該參數是DC/DC轉換器應用中表征MOSFET的優值系數(FOM)。器件的FOM可減低傳導和開關損耗，從而提高總的系統效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數量，并簡化設計。
SiR872ADP進行了100%的Rg和UIS測試，符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，讓設計者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能夠滿足所有功率轉換應用的需求。
新款MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。
