Vishay Siliconix 擴(kuò)展ThunderFET®的電壓范圍
2013-04-23 11:05:28 本站原創(chuàng)150 V N溝道TrenchFET®功率MOSFET為DC/DC應(yīng)用提供18mΩ導(dǎo)通電阻
賓夕法尼亞、MALVERN — 2013 年 4 月23 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，發(fā)布新款采用熱增強(qiáng)型PowerPAK® SO-8封裝的新款N溝道TrenchFET®功率MOSFET---SiR872ADP，將該公司的ThunderFET®技術(shù)的電壓擴(kuò)展至150V。Vishay Siliconix SiR872ADP在10V和7.5V下的導(dǎo)通電阻低至18mΩ和23mΩ，同時(shí)保持低柵極電荷，在10V和7.5V下的典型電荷為31nC和22.8nC。
今天發(fā)布的器件適用于DC/DC轉(zhuǎn)換器、DC/AC逆變器，以及通信磚式電源、太陽(yáng)能微逆變器和無(wú)刷直流電機(jī)的升壓轉(zhuǎn)換器中的初級(jí)側(cè)和次級(jí)側(cè)的同步整流。在這些應(yīng)用當(dāng)中，SiR872ADP的導(dǎo)通電阻比前一代器件低45%，可降低傳導(dǎo)損耗，提高系統(tǒng)的整體效率。
SiR872ADP在10V和7.5V下導(dǎo)通電阻與柵極電荷的乘積分別為563mΩ-nC和524mΩ-nC，該參數(shù)是DC/DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中表征MOSFET的優(yōu)值系數(shù)(FOM)。器件的FOM可減低傳導(dǎo)和開(kāi)關(guān)損耗，從而提高總的系統(tǒng)效率。這款MOSFET的性能高于很多前一代器件，有可能減少總的元器件數(shù)量，并簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
SiR872ADP進(jìn)行了100%的Rg和UIS測(cè)試，符合JEDEC JS709A的無(wú)鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。這款器件屬于近期發(fā)布的100V SiR846ADP和SiR870ADP，及80V SiR826ADP ThunderFET MOSFET之列，讓設(shè)計(jì)者可以從采用PowerPAK SO-8封裝的多款中等電壓器件中進(jìn)行選擇。借助ThunderFET、TrenchFET Gen IV和E/D系列MOSFET，Vishay能夠滿足所有功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用的需求。
新款MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周到十四周。
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