安森美半導體擴充用于電機控制、太陽能及不斷間電源應用的 高性能溝槽型場截止IGBT
2012-10-29 09:19:02 本站原創新的場截止溝槽型技術器件擴大額定電流，提供高速開關能力，用于要求嚴格的電源應用
2012年10月24日 – 應用于高能效電子產品的首要高性能硅方案供應商安森美半導體(ON Semiconductor，美國納斯達克上市代號：ONNN)擴充NGBTxx系列1,200伏(V)溝槽型場截止(FS) 絕緣門雙極晶體管(IGBT)器件，推出9款新的高能效方案。
這些新器件提升系統總體開關能效，降低功率耗散，且提升系統可靠性。這些最新IGBT器件增添至安森美半導體現有超過30款的IGBT產品系列中，將產品的額定電流能力提升至最高40 A。這些產品中包含專門針對太陽能及不間斷電源(UPS)應用高性能電源轉換的器件。
安森美半導體功率分立產品高級總監兼總經理John Trice說：“全球能耗的大幅增加及對經濟及環境預計帶來的不利影響，持續推動對更高性能功率分立元器件的需求。這些新一代器件在提供高性價比及業界領先能效的同時無損強固性。安森美半導體專有的溝槽型場截止技術能為工程師在應用其電源系統設計時提供更豐富的選擇?！?/span>
第一組新IGBT是NGTB40N120FLWG、NGTB25N120FLWG及NGTB15N120FLWG。這些產品采用強固及高性價比的溝槽型技術結構，為高頻開關應用提供優異的性能。低開關損耗及超快恢復二極管使它們非常適合于高頻太陽能、UPS及逆變焊機應用。這些器件分別擁有40 A、25 A及15 A的額定集電極電流(IC)。三款器件均經過高度優化，用于頻率在10千赫茲(kHz)至40 kHz的開關應用，提供低導通電壓(VCEsat)及低門電荷(Qg)特性，并具備超快恢復能力，提供極低開關損耗，以保持低功率耗散。這些新IGBT器件都提供−55 °C至+150 °C的工作結溫。
第二組新器件也拓寬了安森美半導體的溝槽型場截止IGBT器件陣容，將產品額定電流能力提升至最高40 A。NGTB30N120LWG 及NGTB40N120LWG提供低Vcesat及強固的短路特性，帶有快速恢復二極管，用于低頻(2 – 20 kHz)硬開關應用，如電機控制變頻應用。與這兩款器件相輔相成的是NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB20N120IHSWG及NGTB30N120IHSWG，這些器件具有均衡的開關及導電損耗，用于中等工作頻率(15 – 30 kHz)的電磁感應加熱及其它軟開關應用，如電火鍋、電飯煲及微波爐等電器。
封裝及價格
NGTB15N120FLWG、NGTB25N120FLWG、NGTB40N120FLWG、NGTB30N120IHLWG、NGTB40N120IHLWG、NGTB30N120LWG、NGTB40N120LWG、NGTB30N120IHSWG及NGTB20N120IHSWG均采用緊湊的無鉛TO-247封裝，每批量10,000片的單價分別為2.00、2.50、4.00、2.50、2.75、3.00、3.25、2.25及1.60美元。
