飛兆半導體推出20V單P通道PowerTrench® MOSFET新品
2012-08-09 22:50:39 本站原創FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET™ MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開關和線性模式應用。 在 20V 的額定電壓下，設備提供低通路電阻。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗，FDMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優化穩壓二極管保護設備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA。
特色及優勢：
FDMA910PZ
• 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A
• 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A
• 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A
• 低配置－配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm
級別 > 2.8kV 標準
PDME910PZT
• 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A
• 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A
• 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A
• 低配置： 配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm
級別 > 2kV 標準
FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設備都提供低電壓安全操作，并適用于手機和便攜式設備。
價格：訂購1,000個
FDMA910PZ： 每個0.36美元
FDME910PZT： 每個0.33美元
