快速60V保護(hù)的高壓側(cè)N溝道,MOSFET驅(qū)動(dòng)器提供100%占空比能力
2017-07-14 20:07:05 未知亞德諾半導(dǎo)體 (Analog Devices, Inc.,簡稱ADI) 旗下凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高速、高壓側(cè)N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器LTC7003,該器件可采用高達(dá) 60V 的電源電壓工作。其內(nèi)部充電泵全面增強(qiáng)了外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān),從而使其能夠無限期地保持導(dǎo)通。LTC7003 強(qiáng)大的1Ω柵極驅(qū)動(dòng)器能夠以非常短的轉(zhuǎn)換時(shí)間和 35ns 傳播延遲非常容易地驅(qū)動(dòng)大的柵極電容 MOSFET,因此非常適合高頻開關(guān)和靜態(tài)開關(guān)應(yīng)用。
LTC7003 在 3.5V 至 60V (65V 絕對(duì)最大值) 輸入電源范圍內(nèi)運(yùn)行,具3.5V 至 15V驅(qū)動(dòng)器電源范圍。該器件通過監(jiān)視外部檢測(cè)電阻器兩端的電壓來檢測(cè)過流情況,這個(gè)電阻器與外部 MOSFET 開關(guān)的漏極串聯(lián)。當(dāng) LTC7003 檢測(cè)到開關(guān)電流已經(jīng)超過預(yù)設(shè)值時(shí),就確定一個(gè)故障標(biāo)記,開關(guān)則關(guān)斷一段時(shí)間,關(guān)斷時(shí)間長短由一個(gè)外部定時(shí)電容器設(shè)定。經(jīng)過預(yù)定冷卻時(shí)間之后,LTC7003 自動(dòng)重試。
LTC7003 用來接收一個(gè)以地為基準(zhǔn)的低壓數(shù)字輸入信號(hào),并快速地驅(qū)動(dòng)一個(gè)高壓側(cè) N 溝道功率 MOSFET,該 MOSFET 的漏極可比地高 60V。當(dāng)驅(qū)動(dòng)一個(gè) 1000pF 負(fù)載時(shí),快速 13ns 上升和下降時(shí)間最大限度降低了開關(guān)損耗。LTC7003 具可調(diào)電流限制、電流監(jiān)視輸出以及可調(diào)過壓閉鎖和使能輸入。
LTC7003 采用 MSOP-16 封裝。可提供 3 種工作結(jié)溫級(jí)版本,擴(kuò)展和工業(yè)溫度級(jí)版本的溫度范圍為–40°C 至 125°C,高溫汽車級(jí)版本的溫度范圍為–40°C 至 150°C,而軍用溫度級(jí)版本的溫度范圍則為–55°C 至 150°C。千片批購價(jià)為每片2.30美元。
EETOP 官方微信
創(chuàng)芯大講堂 在線教育
半導(dǎo)體創(chuàng)芯網(wǎng) 快訊
相關(guān)文章