羅姆實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
2012-06-14 21:56:44 本站原創多媒體融合應用需要性能和能效兼備的半導體技術。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統技術無法使晶體管的性能和電池壽命同時達到最高水準，無法在實現最 優性能的同時確保溫度不超過安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術，該技術兼備最高性能、低工作功耗（在各種應用中，降低電源功率后還能保持良好的性 能）和低待機功耗。
憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術，意法半導體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領先競爭對手。為FD-SOI貨源提供雙重保障， 意法半導體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協議，以補充意法半導體位于法國Crolles工廠的產能。28n納米FD-SOI器件目前已商用 化，預計于2012年7月前投入原型設計；而 20納米 FD-SOI器件目前處于研發階段，預計2013年第三季度投入原型設計。
意法半導體的FD-SOI技術已被ST-Ericsson用于下一代移動平臺，這項技術將使ST-Ericsson的 NovaThor™平臺具有更高的性能和更低的功耗，在發揮最高性能的時候可降低功耗達35%。
意法半導體計劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開放FD-SOI技術，讓他們能夠使用目前最先進的 28納米和20納米技術研發產品。
意法半導體負責數字娛樂事業部前端制造和工藝研發業務副總裁Joel Hartmann表示：“意法半導體和合作伙伴的試驗證明，FD-SOI的性能和功耗遠遠優于傳統技術。FD-SOI是無線設備芯片和平板電腦芯片的最佳 選擇，雖然這項技術仍然使用傳統的平面技術，但是能夠提供全耗盡型晶體管的諸多優點，我們與 GLOBALFOUNDRIES的代工協議可為我們的客戶提供更穩定可靠的貨源。”
意法半導體負責設計支持和服務的副總裁Philippe Magarshack進一步表示： “因為沒有MOS歷史效應影響（MOS-history-effect），從28納米塊狀硅（Bulk CMOS）技術向28納米FD-SOI移植軟件庫和物理IP內核很簡單。使用傳統的CAD工具和方法研發FD-SOI數字系統芯片與研發傳統CMOS制造 工藝技術完全相同。此外，通過動態優化電路基片（俗稱襯底），FD-SOI還可讓同一芯片具有極高的性能或極低的功耗。最后，FD-SO在低電壓條件下性 能出色，能效明顯高于傳統的CMOS技術。”
GLOBALFOUNDRIES的首席技術官Gregg
Bartlett表示：“今天的代工協議證明，產業合作對于采用尖端技術提供解決方案至關重要。
我們與意法半導體保持長期的合作關系，合作范圍包括研發、制造，以及SOI技術。我們很高興能夠與意法半導體合作，把下一代SOI技術推入市場，引領移動
革命繼續深入發展。”
