羅姆實(shí)現(xiàn)SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝
2012-06-14 21:56:44 本站原創(chuàng)多媒體融合應(yīng)用需要性能和能效兼?zhèn)涞?a href="http://www.xebio.com.cn/semi" target="_blank" class="keylink">半導(dǎo)體技術(shù)。隨著芯片外觀尺寸不斷縮小，傳統(tǒng)技術(shù)無(wú)法使晶體管的性能和電池壽命同時(shí)達(dá)到最高水準(zhǔn)，無(wú)法在實(shí)現(xiàn)最 優(yōu)性能的同時(shí)確保溫度不超過(guò)安全限制。解決之道是采用FD-SOI技術(shù)，該技術(shù)兼?zhèn)渥罡咝阅堋⒌凸ぷ鞴模ㄔ诟鞣N應(yīng)用中，降低電源功率后還能保持良好的性 能）和低待機(jī)功耗。
憑借其注重成本效益的平面型FD-SOI技術(shù)，意法半導(dǎo)體率先推出了28納米的全耗盡型器件，遙遙領(lǐng)先競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。為FD-SOI貨源提供雙重保障， 意法半導(dǎo)體與GLOBALFOUNDRIES簽訂了代工協(xié)議，以補(bǔ)充意法半導(dǎo)體位于法國(guó)Crolles工廠的產(chǎn)能。28n納米FD-SOI器件目前已商用 化，預(yù)計(jì)于2012年7月前投入原型設(shè)計(jì)；而 20納米 FD-SOI器件目前處于研發(fā)階段，預(yù)計(jì)2013年第三季度投入原型設(shè)計(jì)。
意法半導(dǎo)體的FD-SOI技術(shù)已被ST-Ericsson用于下一代移動(dòng)平臺(tái)，這項(xiàng)技術(shù)將使ST-Ericsson的 NovaThor™平臺(tái)具有更高的性能和更低的功耗，在發(fā)揮最高性能的時(shí)候可降低功耗達(dá)35%。
意法半導(dǎo)體計(jì)劃向GLOBALFOUNDRIES的其它客戶開(kāi)放FD-SOI技術(shù)，讓他們能夠使用目前最先進(jìn)的 28納米和20納米技術(shù)研發(fā)產(chǎn)品。
意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)數(shù)字娛樂(lè)事業(yè)部前端制造和工藝研發(fā)業(yè)務(wù)副總裁Joel Hartmann表示：“意法半導(dǎo)體和合作伙伴的試驗(yàn)證明，F(xiàn)D-SOI的性能和功耗遠(yuǎn)遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng)技術(shù)。FD-SOI是無(wú)線設(shè)備芯片和平板電腦芯片的最佳 選擇，雖然這項(xiàng)技術(shù)仍然使用傳統(tǒng)的平面技術(shù)，但是能夠提供全耗盡型晶體管的諸多優(yōu)點(diǎn)，我們與 GLOBALFOUNDRIES的代工協(xié)議可為我們的客戶提供更穩(wěn)定可靠的貨源。”
意法半導(dǎo)體負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)支持和服務(wù)的副總裁Philippe Magarshack進(jìn)一步表示： “因?yàn)闆](méi)有MOS歷史效應(yīng)影響（MOS-history-effect），從28納米塊狀硅（Bulk CMOS）技術(shù)向28納米FD-SOI移植軟件庫(kù)和物理IP內(nèi)核很簡(jiǎn)單。使用傳統(tǒng)的CAD工具和方法研發(fā)FD-SOI數(shù)字系統(tǒng)芯片與研發(fā)傳統(tǒng)CMOS制造 工藝技術(shù)完全相同。此外，通過(guò)動(dòng)態(tài)優(yōu)化電路基片（俗稱襯底），F(xiàn)D-SOI還可讓同一芯片具有極高的性能或極低的功耗。最后，F(xiàn)D-SO在低電壓條件下性 能出色，能效明顯高于傳統(tǒng)的CMOS技術(shù)。”
GLOBALFOUNDRIES的首席技術(shù)官Gregg
Bartlett表示：“今天的代工協(xié)議證明，產(chǎn)業(yè)合作對(duì)于采用尖端技術(shù)提供解決方案至關(guān)重要。
我們與意法半導(dǎo)體保持長(zhǎng)期的合作關(guān)系，合作范圍包括研發(fā)、制造，以及SOI技術(shù)。我們很高興能夠與意法半導(dǎo)體合作，把下一代SOI技術(shù)推入市場(chǎng)，引領(lǐng)移動(dòng)
革命繼續(xù)深入發(fā)展。”
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