羅姆開發出SiC肖特基勢壘二極管SCS210AG/AM
2012-06-09 11:47:12 本站原創
與傳統產品相比，正向電壓降低了10％，非常有助于各種設備實現更低功耗。生產基地在ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），從6月份開始出售樣品 (樣品價格500日元/個)并陸續量產。
※根據羅姆的調查（截至2012年6月7日）
近年來，在工業設備、太陽能電池、電動車以及鐵路等電力電子技術領域，與Si元件相比，電力轉換時損耗少、材料性能卓越的SiC元件/模塊的實際應用備受期待。羅姆于2010年成功實現了SiC-SBD和SiC-MOSFET兩種SiC元件的量產，于2012年3月在世界上率先成功將“全SiC”功率模塊投入量產等等，產品開發在行業中遙遙領先。
如今，SiC-SBD已經逐漸在世界范圍內廣泛量產，但形成通態損耗的正向電壓長期維持在1.5V的狀態，市場上為了追求更低損耗，要求降低正向電壓。
通常，正向電壓降低反向漏電流就會增加，羅姆通過改善工藝和元件構造，在確保極低漏電流的基礎上成功降低了正向電壓。特別是正向上升電壓較低，有望改善一般使用頻率較高的低負載狀態下的效率。
新系列首先從600V-10A的產品開始量產，今后將逐步擴大產品陣容。計劃在數月內開始1200V產品的量產。
本產品將在6月19~21日在上海世博展覽館舉行的電力電子、智能運動、可再生能源與能源管理等最新技術的專業展會“PCIM-ASIA 2012”上展出，歡迎屆時蒞臨參觀。
＜特點＞
1） 高速開關，低VF，與傳統的Si產品相比，損耗顯著降低
不僅實現了只有SiC才能實現的高速開關，而且正向電壓更低，與傳統的Si材質快速恢復二極管相比，損耗顯著降低。
＜規格＞
