Vishay的650V快速體二極管MOSFET可提高工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用中軟開關(guān)的電壓余量
2016-05-12 17:04:35 n賓夕法尼亞、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出新的650V EF系列器件---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF，擴(kuò)大其快速體二極管N溝道功率MOSFET產(chǎn)品組合。Siliconix SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF擴(kuò)大了該公司的600V產(chǎn)品，為工業(yè)、通信和可再生能源應(yīng)用提供了迫切需要的電壓余量。
今天推出的這批650V快速體二極管MOSFET采用E系列超級(jí)結(jié)技術(shù)制造，反向恢復(fù)電荷(Qrr)比傳統(tǒng)MOSFET低10倍。這樣器件就能更快地阻斷電壓，有助于避免共通和熱過(guò)應(yīng)力造成的失效，在零電壓切換(ZVS)/軟開關(guān)拓?fù)渲刑岣呖煽啃裕缫葡鄻颉?/span>LLC轉(zhuǎn)換器和3電平逆變器。
21A SiHx21N65EF有5種封裝形式，28A SiHx28N65EF和33A SiHG33N65EF各有兩種封裝。這些MOSFET的導(dǎo)通電阻分別只有157mΩ、102mΩ和95mΩ，柵極電荷也非常低，使得器件的傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗都極低，在太陽(yáng)能逆變器、服務(wù)器和通信電源系統(tǒng)、ATX/Silver PC開關(guān)電源、焊接設(shè)備、UPS、電池充電器、外置式電動(dòng)汽車(EV)充電樁等高功率、高性能開關(guān)應(yīng)用，以及LED、高強(qiáng)度氣體放電(HID)和熒光燈鎮(zhèn)流器照明中起到節(jié)能的作用。
器件可承受雪崩和換向模式中的高能脈沖，確保限值通過(guò)100% UIS測(cè)試。MOSFET符合RoHS，無(wú)鹵素。
器件規(guī)格表：
|
編號(hào) |
RDS(ON) (mW) @ 10 V (最大值) |
Qg (nC) @ 10 V (典型值) |
ID (A) @ 25 °C |
Qrr (mC) @ 25 °C (典型值) |
封裝 |
|
180 |
71 |
21 |
1.2 |
Thin-lead TO-220 FullPAK |
|
|
180 |
71 |
21 |
1.2 |
D2PAK (TO-263) |
|
|
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-247AC |
|
|
157 |
68 |
21 |
0.9 |
PowerPAK® 8x8 |
|
|
180 |
71 |
21 |
1.2 |
TO-220AB |
|
|
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-247AC |
|
|
102 |
97 |
28 |
1.1 |
TO-220AB |
|
|
95 |
114 |
33 |
1.18 |
TO-247AC |
新的650V EF系列MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十六周到十八周。
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