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IR全新HEXFET®功率MOSFET系列

2010-07-21 17:17:41 本站原創
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國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出全新HEXFET®功率MOSFET系列。該器件采用業界標準SOT-23封裝,具有超低導通電阻 (RDS(on)) ,適用于電池充電及放電開關、系統和負載開關、輕載電機驅動,以及電信設備等應用。

新款SOT-23 MOSFET 器件采用IR最新的中壓硅技術,通過大幅降低90% RDS(on)顯著改善了電流處理能力,為客戶的特定應用優化了性能及價格。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示:“這個全新的SOT-23 MOSFET系列支持從 -30V至100V的寬電壓范圍,并提供不同水平的 RDS(on) 和柵極電荷 (Qg) ,從而為追求緊湊、高效率及低成本解決方案的客戶帶來更佳、更廣泛的設計選擇。”

新器件達到第一級潮濕敏感度 (MSL1) 業界標準,所采用的材料不含鉛,并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

產品規格

器件編號

BVDSS

25°C下的最Id

10V下的

典型 / 最大RDS(on)

(m)

4.5V下的

典型 / 最大RDS(on)

(m)

典型Qg

IRLML9301TRPBF

-30V

3.6 A

51 / 64

82 / 103

4.8 nC

IRLML9303TRPBF

-30V

2.3 A

135 / 165

220 / 270

2.0 nC

IRLML0030TRPBF

30V

5.2 A

22 / 27

33 / 40

2.6 nC

IRLML2030TRPBF

30V

2.7 A

80 / 100

123 / 154

1.0 nC

IRLML0040TRPBF

40V

3.6 A

44 / 56

62 / 78

2.6 nC

IRLML0060TRPBF

60V

2.7 A

78 / 92

98 / 116

2.5 nC

IRLML2060TRPBF

60V

1.2 A

356 / 460

475 / 620

0.4 nC

IRLML0100TRPBF

100V

1.6 A

178 / 220

190 / 235

2.5 nC

新器件現正接受批量訂單

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