意法
半導體推出一款先進的高性能功率封裝，這項新技術將會提高意法
半導體最新的MDmesh V功率MOSFET技術的功率密度。
在一個尺寸僅為8x8mm的無引腳封裝外殼內，全新1mm高的貼裝封裝可容納工業標準的TO-220大小的裸片，并提供一個裸露的金屬漏極焊盤，有效排除內部產生的熱量。薄型封裝將使設計人員能夠設計更薄的
電源外殼，為當今市場提供緊湊時尚的新產品。客戶可從兩個公司獲得這款新的標準產品：意法
半導體和英飛凌（Infineon Technologies）均將推出采用這個創新封裝的MOSFET晶體管，意法
半導體的產品名稱是PowerFLAT 8x8 HV，英飛凌的產品名稱是ThinPAK 8x8，從而為客戶提供高品質雙貨源供貨。
新封裝的纖薄外形和優異的散熱性能，結合意法
半導體MDmesh V技術的無與倫比的超低單位裸片面積導通電阻RDS(ON) ，可大幅提高功率器件的功率密度和可靠性，節省印刷電路板空間。意法
半導體將在現有的MDmesh V 產品陣容內加入Powe
RFLAT 8x8 HV封裝的MOSFET，目前已發布該系列首款產品：650V STL21N65M5。
意法
半導體功率晶體管產品部市場總監Maurizio Giudice表示：“我們與英飛凌的合作卓有成效，已開發出一項高性能封裝技術，我們的客戶可以獲得尖端的應用設計和全球兩大功率
半導體廠商支持的
芯片封裝。這項具有突破性的封裝技術結合意法
半導體獨有的業內最先進的MDmesh V制程，我們的全新MOSFET將提供相同額定電壓產品中最高的功率密度和能效。”
STL21N65M5的主要特性：
· RDS(ON)：0.190Ω
· 最大額定輸出電流 （ID）：17A
· 結到外殼熱阻率（Rthj-c）：1.0 ºC/W
