IR推出DirectFET MOSFET芯片組IRF6706S2PbF/IRF6798MPbF
2010-04-20 20:03:00 本站原創(chuàng)IR推出 IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF DirectFET MOSFET 芯片組，為 12V 輸入同步降壓應用 (包括服務器、臺式電腦和筆記本電腦) 提供最佳效率。
IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業(yè)界領先的性能指數(shù) (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優(yōu)化的解決方案。
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現(xiàn)反向恢復損耗，進一步提高解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
產(chǎn)品基本規(guī)格
器件編號 | BVDSS (V) | 10V 下的典型導通電阻(mΩ) | 4.5V 下的典型導通電阻 (mΩ) | VGS (V) | TA 為 25ºC時的 ID (A) | 典型QG (nC) | 典型QGD (nC) | 外形代碼 |
IRF6798MPBF | 25 | 0.915 | 1.6 | +/-20 | 37 | 50 | 16 | MX |
IRF6706S2PBF | 25 | 3.2 | 5.3 | +/-20 | 17 | 12 | 4.2 | S1 |
公司網(wǎng)址：www.irf.com.cn
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