25V DirectFET芯片組面向高頻率DC-DC開關應用
2010-04-16 14:08:31 本站原創IRF6706S2PbF 和 IRF6798MPbF 25V 芯片組不但采用了 IR 最新一代 MOSFET 硅技術，還具有業界領先的性能指數 (FOM) 及 DirectFET 封裝卓越的開關和熱特性，成為一個為高頻率 DC-DC 開關應用而優化的解決方案。
IR 亞洲區銷售副總裁潘大偉表示：“IR 通過改善關鍵參數不斷提升功率 MOSFET 的性能。新款 IRF6706S2PbF 和
IRF6798MPbF DirectFET 芯片組把低電荷及低導通電阻 (RDS(on)) 與業界最低的柵極電阻 (Rg)
相結合，使傳統上由典型同步降壓
IRF6798MPbF 的中罐 DirectFET 封裝提供低于1 mΩ 的導通電阻，使整個負載范圍可保持極高的效率。新器件配有單片集成式肖特基二極管，能夠減少與體二極管傳導相關的損耗，并能實現反向恢復損耗，進一步提高 解決方案的整體性能。IRF6798MPbF 還提供僅為 0.25 mΩ 的極低柵極電阻，避免了與 Cdv/dt 相關的擊穿。
IRF6706S2PbF 小罐 DirectFET 也具備低電荷和低導通電阻，可減少開關損耗及傳導損耗，還可為快速開關提供極低的柵極電阻。
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