集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET
2010-04-09 15:22:28 本站原創安森美半導體(ON Semiconductor)擴充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30 V產品。
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF在10 V時分別擁有2 毫歐(mΩ)、3 mΩ及5 mΩ的最大導通阻抗(RDS(on))值，針對降壓轉換器應用中的同步端而優化，達致更高電源能效。典型門電荷(在4.5 V門極-源極電壓(Vgs)時)規格分別為39.6納庫侖(nC)、25.6 nC及12.2 nC，確保開關損耗也保持最低。
安森美半導體這些新的功率MOSFET典型應用包括用于服務器、電信網絡設施、個人計算機(PC)、筆記本電腦及游戲機的直流-直流(DC-DC)轉換、負載點(POL)轉換及低端開關操作。
安森美半導體功率MOSFET業務部副總裁兼總經理Paul Leonard說：“集成肖特基二極管借助于集成在與初級FET結構相同的裸片中，減小死區時間導電損耗，因而提升能效及改善波形。這些新的器件為客戶提供更寬陣容的產品及方案，解決他們獨特的設計挑戰。”
NTMFS4897NF、NTMFS4898NF及NTMFS4899NF均采用符合RoHS指令、低熱阻抗的緊湊型5 mm x 6 mm SO-8FL封裝。這些器件每10,000片批量的價格為0.45美元至0.90美元。
