Infineon推出25V OptiMOS調壓MOSFET和DrMOS系列
2010-03-03 14:57:35 本站原創英飛凌公司推出OptiMOS 25V器件系列，壯大OptiMOS™ 功率 MOSFET產品陣容。該系列器件經過優化，適合應用于計算機服務器電源的電壓調節電路和電信/數據通信的開關。這種全新的MOSFET還被集成進滿足英 特爾DrMOS規范的TDA21220 DrMOS。
通過大幅降低三個關鍵的能效優值（FOM），這種全新的器件無論在任何負載條件下，都可使MOSFET功耗降低20%， 同時達到更高的性能。此外，更高的功率密度還能讓典型電源的降壓轉換器的占板空間縮小40%以上。
例如，在一個六相穩壓器設計中，采用一個5V柵極驅動的全新25V OptiMOS器件，在輸出電流為30A 至180A條件下，能效可超過90%，最高可達93%。這主要歸功于該器件具備行業最低的導通電阻、最低的柵極電荷以及最低的輸出電容等特性。英飛凌聲 稱，它是全球第一家能夠提供同時具備這樣三種特性的器件的功率MOSFET供應商。
據幾家市場研究公司的預測，2011年服務器保有量將達到6,000萬臺。這些服務器的平均功耗為600瓦，總耗電量高 達36,000兆瓦。這些服務器的用電量每減少1%，即可節省360兆瓦的電能，相當于一座水電站的裝機容量。此外，更高效的電源的制冷需求相應降低，從 而進一步減少耗電量。
英飛凌科技低壓MOSFET產品線負責人Richard Kuncic指出：“更高效地使用能源，也就是說消耗更少的電能，是確保未來能源安全的最有效的途徑，英飛凌將為此做出巨大貢獻。英飛凌為工業、電信、消 費類電子設備和家電等領域的產品提供非常強大和高效的MOSFET解決方案。我們設立了MOSFET的性能標桿。我們矢志鞏固我們作為MOSFET器件頭 號供應商的地位，使電源盡可能達到最高能效。通過推出這個全新的25V OptiMOS器件系列，我們能夠讓客戶設計出功耗和成本更低的產品。”
電源設計人員可通過采用25V OptiMOS器件，減少產品的用電量，降低其熱負載，甚至縮小其尺寸。這些改進對于數據中心運營商而言十分有益，因為服務器運行及制冷所發生的電費，是 數據中心最大的運營成本項目。最終用戶同樣非常重視縮小整個系統的體積。
英飛凌全新推出的25V OptiMOS分立式器件采用三種封裝形式：SuperSO8、CanPAK和超小的S3O8封裝。S3O8封裝尺寸僅為3.3 毫米 x 3.3毫米。若采用S3O8封裝，一個六相轉換器的外形尺寸僅為1,120平方毫米，比另外兩種封裝分別縮小45%至 55%。全新推出的DrMOS器件——TDA21220——是一個多片封裝，集成了兩個全新的OptiMOS晶體管和一個驅動IC。它的能效比市場上同類 解決方案高2%至4%。
相對于采用低導通電阻溝槽技術和超低柵極電荷橫向MOSFET概念的器件，OptiMOS25V器件在能效優值方面表現 更為出色。在導通電阻相同的情況下，全新的OptiMOS 25V器件的柵極電荷，比采用最接近的溝槽工藝制造的器件低35%，而其輸出電荷比最佳的橫向MOSFET器件低一半。
供貨與定價
25V OptiMOS系列和TDA21220 DrMOS器件的工程樣品已開始供貨。典型的定價是，當訂購量達2,000枚時，采用SuperSO8封裝（BSC010NE2LS）的1毫歐25V OptiMOS器件單價約為1歐元（1.4美元）。當訂購量達2,000枚時，TDA21220的起價約為1.55歐元（2.17美元）。
英飛凌還計劃在今年第二季度推出全新的30V OptiMOS系列。與英飛凌產品組合中的數字電源控制器和其他電源管理器件結合使用，該器件系列將成為滿足白牌筆記本和英特爾規定的能效與性能要求的筆 計本電腦電源的理想之選。
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