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資訊列表

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  三星計(jì)劃替換所有日產(chǎn)半導(dǎo)體材料

  據(jù)韓媒報(bào)道，三星電子決定將半導(dǎo)體生產(chǎn)過程中使用的約220余種日本原材料和化學(xué)藥品，全部替換為本國產(chǎn)品或其他國家產(chǎn)品。韓國日報(bào)稱，三星

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-08
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  三星推出第六代 V-NAND，高達(dá)136層

  三星周二推出了第六代V-NAND內(nèi)存，為了進(jìn)一步提高容量和密度，它擁有100多個層堆疊。從性能的角度來看，要使V-NAND具有超過100層的可行性，

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-08
• 安森美半導(dǎo)體贊助IEEE Empower a Billion Lives競賽

  2019年8月7日 – 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國納斯達(dá)克上市代號：ON)，宣布贊助美國電氣電子工程師協(xié)會(I

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-08
• 三星電子應(yīng)對日本制裁：李在镕親自去工廠，計(jì)劃擴(kuò)大美

  日前，三星電子為應(yīng)對日本將韓國移除白色清單的危機(jī)，正考慮擴(kuò)大美國當(dāng)?shù)厣a(chǎn)線等解決方案。據(jù)韓國《亞洲日報(bào)》6日報(bào)道，韓國業(yè)界透露，三

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-07
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  東芝存儲器發(fā)布XL-Flash技術(shù)：下年量產(chǎn)

  近日，據(jù)外媒報(bào)道，東芝存儲器美國子公司宣布推出一種新的存儲器（Storage Class Memory）解決方案：XL-Flash，該技術(shù)是基于創(chuàng)新的Bics

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-06
• 國家存儲器基地項(xiàng)目進(jìn)展順利，量產(chǎn)目標(biāo)有望實(shí)現(xiàn)

  日前，上海寶冶安裝工程公司施工承建的國家存儲器一期二階段中低壓配電系統(tǒng)工程第一批中壓柜與一期供電系統(tǒng)并網(wǎng)，成功受電20kV，為后續(xù)設(shè)備

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-06
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  SK海力士庫存僅能維持1.5個月：存儲產(chǎn)品將暴漲

  從7月日本限制對韓國的半導(dǎo)體出口以來，至今已1個月未能從日本進(jìn)口高純度氟化氫及光阻劑材料。近日，韓媒爆料預(yù)計(jì)SK海力士目前的原料庫存僅

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-06
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  韓日開啟互踢模式，日本回應(yīng)：踢就踢吧，中國臺灣產(chǎn)品

  為了報(bào)復(fù)日本將韓國踢出白名單，韓國政府8月2日宣布將日本踢出享有優(yōu)惠待遇地位的貿(mào)易「白名單」，開啟互踢模式。今后南韓產(chǎn)品出口到日本時

  半導(dǎo)體/EDA

  2019-08-06
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