東芝存儲器發布XL-Flash技術：下年量產
2019-08-06 13:01:14 中關村在線
據東芝存儲器表示，這項技術與英特爾3D Xpoint和三星Z-NAND一樣，XL-Flash屬于持久性存儲器，不僅具有NAND Flash容量存儲的能力，同時性能介于DRAM和NAND之間。
雖然能像DRAM易失性存儲解決方案提供應用程序要求苛刻的訪問速度，但達到這種性能的的成本很高。DRAM單位成本限制了其容量的擴展性，新的SCM持久性存儲器解決了密度、成本、性能等問題。
它是介于DRAM和NAND閃存之間的產品，與傳統的DRAM相比，具有更快的速度、更低的延遲和更高的存儲容量。XL-Flash最初將以SSD產品為部署，但未來也將擴展到DRAM產品線上。
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