臺積電準備興建新廠生產5、3nm制程
2016-12-15 21:49:53 未知臺積電計劃于南科高雄園區興建新廠，進行5nm與3nm制程生產。
晶圓代工大廠臺積電(TSMC)表示，該公司打算興建下一座晶圓廠，目標是在2022年領先市場導入5奈米到3奈米制程節點。
隨著IC產業掀起整并風潮，臺積電、三星(Samsung)與英特爾(Intel)等半導體大廠近年來在制程技術上的競爭也日益激烈，以爭取來自無晶圓廠客戶如蘋果(Apple)、高通(Qualcomm)等的高利潤訂單;臺積電的目標是在南科高雄園區興建新廠，以尋求領先競爭對手至少五年。
臺積電發言人孫又文(Elizabeth Sun)向臺灣本地媒體證實，科技部長楊弘敦在數月前曾經與臺積電會談，因此該公司趁機提出了未來發展計畫：“我們希望他知道我們需要一片土地，因為臺灣其他科學園區都已經沒有空間。”
孫又文表示，臺積電的新廠需要至少50~80公頃的土地，投資額約5,000億新臺幣(約157億美元);2022年是一個預估的時間表，還需考量晶圓廠興建過程中無法預期的延遲因素，最近臺積電有部分計畫就因為召開環境評估公聽會等因素而延遲了一年之久。
此外臺積電也敦促臺灣政府能及時給予該公司的新廠在土地、電力供應等基礎建設方面的支援;孫又文指出，過去臺積電在臺灣的其他廠區就曾面臨電力與水源短缺的問題：“我們將希望政府提供的基礎建設需求提出，所有的東西都需要長期規劃，而政府全權管理科學園區。”
而臺積電也表示該公司尚未決定是否將在5nm與3nm節點采用極紫外光(EUV)微影技術;“我們目前的計畫是在5nm節點廣泛采用EUV，”不過孫又文強調：“這是建立在屆時EUV技術已經準備就緒的前提下。”
臺積電預計在2017年量產7nm節點，5nm節點預定量產時程則為2019年，以支援智慧型手機與配備包括虛擬實境(VR)、擴增實境(AR)等功能的高階行動裝置應用。
目前全球各家半導體領導廠商的目標是導入10nm制程;臺積電在今年第三季已經將10nm制程由開發階段轉為準備量產，并已經有5款行動產品應用的晶片投片，估計首款10nm晶片將于明年第一季量產。臺積電預期，高階智慧型手機晶片將在2017年由16nm邁進10nm制程節點。
三星的目標是在今年底之前推出以10nmFinFET制程生產的SoC，一舉領先對手英特爾與臺積電;至于英特爾則在今年稍早表示，該公司的10nm制程將超越其他晶圓代工業者，應用于為LG等廠商制造ARM核心手機晶片。
