臺積電“美國制造”芯片進度落后
2025-03-28 09:15:42 EETOP點擊關注微信公眾號半導體創芯網，后臺告知EETOP論壇用戶名，獎勵200信元
3月28日消息，日經于昨晚披露了臺積電在美國建廠的最新動態。臺積電在歷經首座美國工廠長達五年的建設周期后，已積累起在美建廠的寶貴經驗，如今計劃將后續晶圓廠的建設周期大幅縮短至兩年。
回顧臺積電美國工廠的建設歷程，鳳凰城Fab 21工廠的建設規劃清晰明了。一期（N4工藝）早在2020年就已動工，預計2025年實現投產；二期（3nm工藝）計劃在2026年開啟試產，2028年達成量產；三期（2nm工藝）則有可能在2028年進行試產，2029年具備量產能力。目前，該公司正緊鑼密鼓地完成鳳凰城Fab 21一期工廠的設備安裝工作，并且打算在Fab 21二期建設完成后，將相關設備安裝工具轉移至該區域。
臺積電高管向日經證實，在建設初期他們遭遇了勞工短缺、成本超支等諸多棘手問題。經過不懈努力，如今已成功解決大部分難題，還明確了在建設新工廠時可合作的當地建筑承包商。倘若三期工廠能夠如期完工，它將成為美國首座具備2nm制程能力的半導體生產基地，這無疑具有里程碑式的意義。
但是臺積電“美國制造”芯片的整體進度卻相對落后，有消息稱為追趕進度，臺積電將加快在美國的建廠速度，其第三座晶圓廠計劃于今年動工。但建設速度的提升并非一帆風順，設備供應成為了新的制約瓶頸。ASML與應用材料等供應商的訂單堆積如山，光刻機的交付周期難以壓縮，這極有可能導致美國工廠的實際技術導入比中國臺灣地區滯后1 - 2個制程節點。
從芯片生產的產品線來看，美國工廠生產的芯片存在諸多限制。供應鏈信息顯示，美國工廠所生產的芯片將被限定于特定產品線，而且不會用于蘋果的最新機型。這是因為最先進的制造工藝仍將保留在中國臺灣工廠。
