99精品在线观看-99精品在线免费观看-99精品在线视频观看-99精品这里只有精品高清视频-99九九精品国产高清自在线

晶圓代工龍頭臺積電日前在北美技術(shù)論壇上發(fā)布新一代的A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)，該制程技術(shù)除了能容納更多的晶體管，提升運(yùn)算效能之外，更進(jìn)一步降低能耗。 其中更令人關(guān)切的，在于A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)生產(chǎn)的芯片最新導(dǎo)入了結(jié)合超級電軌 （Super PowerRail） 架構(gòu)與納米片晶體管，將帶動運(yùn)算速度更快、更有效率的數(shù)據(jù)中心處理器的發(fā)展。

隨著摩爾定律的演進(jìn)，晶體管越來越小，密度越來越高，堆疊層數(shù)也越來越多，可能需要穿過10~20層堆棧才能為下方晶體管提供電源和數(shù)據(jù)信號，這導(dǎo)致互聯(lián)機(jī)和電源線共存的線路層變成了一個越來越混亂的網(wǎng)絡(luò)。同時，電子在向下傳輸?shù)倪^程中，會出現(xiàn)IR壓降現(xiàn)象，導(dǎo)致電力損失產(chǎn)生。

而除了電力損失，供電線路占用空間也是問題。芯片電源線路布線復(fù)雜的后段制程，往往占至少20%資源，如何解決信號網(wǎng)路跟供電網(wǎng)路資源排擠問題，使組件微縮，變成芯片設(shè)計者主要挑戰(zhàn)。業(yè)界開始研究把供電網(wǎng)絡(luò)轉(zhuǎn)移到芯片背面的可能性。

因此，臺積電的A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)采用了不同的芯片布線方法。 在使用此技術(shù)制造的芯片中，用于向晶體管輸送電力的電線將位于這些晶體管的下方而不是上方。 這種布置被稱為背面供電，有利于生產(chǎn)更有效率的芯片。

而該技術(shù)優(yōu)化處理器的一種方法是緩解稱為IR壓降的技術(shù)問題。這種現(xiàn)象會降低芯片晶體管接收的電壓，進(jìn)而降低其性能。臺積電表示，其A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)中的電線不太容易出現(xiàn)此類電壓下降的情況。相同的，其競爭對手英特爾也同樣在intel20A制程中建構(gòu)了背面供電的技術(shù)。根據(jù)英特爾的說法，該技術(shù)的實(shí)施不僅簡化了電力分配，而且還允許芯片的電路更緊密的封裝在一起，目的是處理器上可以放置更多晶體管以提高其運(yùn)算能力。

臺積電表示，晶體管由四個主要組件組成，包括源極、汲極、通道和閘極。源極是電流流入晶體管的入口點(diǎn)，而汲極是出口。通道和柵極依序負(fù)責(zé)協(xié)調(diào)電子的運(yùn)動。而臺積電的A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)中的電力傳輸線直接連接到源極和汲極，該架構(gòu)的制造比其他背面供電實(shí)現(xiàn)，例如英特爾使用的架構(gòu)更復(fù)雜。但臺積電表示，其決定采用更復(fù)雜的設(shè)計原因是有助于提高客戶芯片的效能。

根據(jù)臺積電的說法，使用超級電軌的A16節(jié)點(diǎn)制程，將較N2P制程在相同Vdd（工作電壓）下，運(yùn)算速度增加8%~10%，或相同運(yùn)算速度下，功耗降低15%~20%，芯片密度提升高達(dá)1.10倍，支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

另外，A16 節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)還導(dǎo)入了稱為納米片晶體管 （NanoFlex） 技術(shù)。 納米片晶體管為芯片設(shè)計人員提供靈活N2標(biāo)準(zhǔn)組件，是芯片設(shè)計的基本構(gòu)建模組，高度較低組件能節(jié)省面積并有更高功耗效率，高度較高組件效能最大化。 相同設(shè)計區(qū)塊優(yōu)化高低組件組合，調(diào)整應(yīng)用功耗、效能及面積取得最佳平衡。 該技術(shù)進(jìn)一步提供了將多種晶體管類型與不同功率效率、速度和尺寸配置相結(jié)合的芯片的能力。 這種靈活性可以使客戶能夠更緊密的將臺積電制造的芯片與他們的計劃要求結(jié)合起來，達(dá)到最大的效能發(fā)揮。

臺積電的NanoFlex預(yù)計在2納米節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)上就會首次應(yīng)用，并計劃于2025年開始進(jìn)入量產(chǎn)接點(diǎn)。至于A16節(jié)點(diǎn)制程技術(shù)則是預(yù)計將于2026年下半年上線。