ASML新一代EUV光刻機拒絕跳票：找日本巨頭技術馳援
2021-06-10 09:26:22 快科技
據悉，參與該EUV光刻機研發的還有IMEC，即位于比利時的歐洲微電子中心。
東京電子表示，自旋金屬抗蝕劑已顯示出高分辨率和高蝕刻電阻，并有望使圖案更加精細。然而，含有金屬的抗蝕劑也需要復雜的圖案尺寸控制以及對晶片背面/斜面金屬污染的較好控制。為了應對這些挑戰，涂層/開發人員正在聯合高NA實驗室安裝先進的工藝模塊，能夠處理含金屬的抗蝕劑。
有觀點將當前ASML已經出貨的NXE：3400B/3400C乃至年底的3600D稱作第一代EUV光刻機，依據是物鏡的NA（數值孔徑）為0.33，所謂下一代也就是第二代的NA提升到0.55。0.55NA比0.33NA有著太多優勢，包括更高的對比度、圖形曝光更低的成本、更高的生產效率等。
EXE：5000之后還有EXE:5200，它們將是2nm、1nm的主要依托。
