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臺積電3納米制程進度提前

2021-02-19 14:48:08 MoneyDJ

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臺積電董事長劉德音近日于《2021年國際固態電路會議（ISSCC 2021）》開場線上專題演說時表示，臺積電3納米制程依照計劃時程發展，甚至比預期進度超前了一些，有信心包括3納米及未來主要制程節點將如期推出并進入生產。

劉德音在「釋放創新未來（Unleash the Future of Innovation）」的演說主題中指出，半導體制程微縮的腳步并未減緩，集成電路的功耗、性能及晶體管密度仍持續進步，臺積電的3納米比預期進度超前，至于2納米之后的晶體管架構將轉向環繞閘極（GAA）的納米薄片（nano-sheet）架構。

劉德音也指出，藉由紫外光微影（EUV）技術，產業界已打破前一代微影技術的尺寸限制，但產量仍是一個問題；EUV 可使用較少層數的光罩，使成本達到理想的水準，但EUV 功耗極大，為此，臺積電已取得350W 照明光源技術突破，將可支援5納米量產甚至到1納米節點。

在材料技術革新方面，劉德音指出，材料的創新將推動芯片技術持續向前邁進，低維度材料包括六方氮化硼（hBN）等2D 材料，已接近實現量產；臺積電已與臺灣地區學界團隊合作，成功以大面積晶圓尺寸生長單晶氮化硼，成果并已獲刊于國際學術期刊《Nature》；而低溫制程則將實現晶圓級的邏輯與存儲器活性層（active layer）堆疊，打造真正的3D IC；此外，他也強調了小芯片（Chiplet）在實現特定領域解決方案上的重要性。

展望未來，劉德音表示，3D 芯片堆疊會是重點，而透過臺積電的SoIC（system on IC）、低溫鍵合（bonding）制程，可實現3D 芯片堆疊。

關鍵詞：臺積電 3納米半導體