英特爾10nm工藝揭秘：2.7倍晶體管密度，首次使用貴金屬釕，吊打友商7nm
2018-06-15 11:17:49 超能網英特爾現在的主力工藝依然是14nm，目前已經發展了三代14nm工藝，將會一直用到2019年底，之后才會升級10nm工藝。不過10nm處理器最近已經上市了，聯想Ideapad 330就使用了10nm Cannonlake架構的Core i3-8121處理器，通過分析英特爾的10nm工藝晶體管密度達到了100MTr/mm2，是14nm節點的2.7倍，而且英特爾首次使用了貴金屬釕。
Techinsights日前就以聯想Ideapad 330中的Core i3-8121處理器為例分析了英特爾的10nm工藝，詳細報告還沒有發布，他們只公布了部分數據，英特爾的10nm工藝主要創新如下：
·邏輯晶體管密度達到了100.8MTr/mm2，也就是每平方毫米1億個晶體管，晶體管密度是14nm工藝的2.7倍多。
英特爾之前公布的自家14nm工藝特點
·10nm FinFET使用的是第三代FinFET晶體管工藝技術
·10nm工藝的最小柵極距（gate pitch）從之前的70nm縮小到了54nm。
·10nm工藝的最小金屬間距（metal pitch）從之前的52nm縮小到了36nm。
英特爾10nm工藝亮點：
·與現有10nm及即將問世的7nm工藝相比，英特爾10nm工藝具有最好的間距縮小指標
·在后端制程BEOL中首次聯合使用金屬銅及釕，后者是一種貴金屬
·在contact及BEOL端使用了自對齊曝光方案（self-aligned patterning scheme）
設計亮點：
·通過6.2-Track高密度庫實現了超級縮放（Hyperscaling ）
·Cell級別的COAG（Contact on active gate）技術
關于英特爾的10nm工藝優勢，之前我們也介紹過，而且英特爾CEO科贊奇也解釋過他們的10nm工藝為什么難產的問題，一大原因就是他們的10nm工藝指標定的太高了，10nm工藝100MTr/mm2的晶體管密度實際上跟臺積電、三星的7nm工藝差不多，性能指標是很好的，但遇到了良率這樣的問題，所以量產時間上要比其他兩家落后兩年多。
