三星超車臺積電、英特爾，搶推 10 納米 SRAM
2015-11-18 19:17:19 n
三星 17 日宣布，獨立領先業界運用 10 納米鰭式場效電晶體（FinFET）制程生產 SRAM（靜態隨機存取內存），意謂著三星 10 納米制程技術或許已經超越臺積電，甚至連芯片龍頭英特爾（Intel）都被三星超車。
SRAM 速度比 DRAM 快，常被當作中央處理器（CPU）的快取內存，藉以提高 CPU 存取效率。臺積電與英特爾在 SRAM 制程技術上，目前還分別停留在 16 與 14 納米。
三星成功開發新世代 SRAM，也代表其處理器制程工藝進階至 10 納米的過程相當順利，估計有望在 2017 年初進入全面量產，將使三星爭搶處理器代工訂單占得有利位置。（ETnews.com）
與 14 納米 SRAM 相比，10 納米可將 128MB 內存單位儲存面積縮小 37.5%，配合 10 納米打造的處理器，不僅運算效能加快且占用空間更小。三星希望明年底將 10 納米完成商業化。
另外，三星還同時將平面 NAND 快閃內存制程技術從 16 納米推進至 14 納米，將可降低生產成本、改善營利率。東芝、美光目前還停留在 15-16 納米制程階段，并認為這是平面 NAND 內存制程的極致，之后將朝 3D 堆疊發展。不過在三星做出突破后，或許平面 NAND 還有進一步延展的可能。
