通常在新技術(shù)投產(chǎn)后一年，才會進(jìn)行下一代技術(shù)試產(chǎn)，但臺積電如此激進(jìn)，說明其7nm并非是完全重新設(shè)計的產(chǎn)物，而劉德音先生也證實，他們的7nm技術(shù)是基于10nm開發(fā)，生產(chǎn)上互相兼容，關(guān)系類似于之前的16nm和20nm。
臺積電沒有透露7nm技術(shù)細(xì)節(jié)，但承諾將改進(jìn)現(xiàn)有技術(shù)缺陷。報道原文中還指出，事實上臺積電的10nm相對于其現(xiàn)有的16nm FinFET+并沒有顯著的改進(jìn)，而臺積電的7nm是基于10nm的話，可能并沒有什么用。
