中芯國際推出自主研發的38納米NAND閃存工藝制程
2014-09-14 14:56:52 本站原創中芯國際集成電路制造有限公司今日宣布38納米 NAND 閃存工藝制程已準備就緒，中芯國際憑此成為唯一一家可為客戶生產 NAND 產品的代工廠。該工藝平臺完全由中芯國際自主研發，可滿足特殊存儲器無晶圓廠客戶對高質量、低密度 NAND 閃存持續增長的需求，使中芯國際占據該領域的領先地位。
NAND 閃存是近年來發展最為迅速的非易失性存儲(NVM)產品。38納米 NAND 閃存主要面向嵌入式產品、移動計算、物聯網(IoT)、電視及機頂盒等多種大需求量的特殊應用領域。客戶也可利用此技術帶動串行外設接口(SPI)NAND 市場的發展以及不斷增長的 IoT 相關產品的應用。此次中芯國際成功推出38納米 NAND 閃存技術，能夠幫助客戶滿足中國及全球市場對此技術的需求。
中芯國際技術研發執行副總裁李序武博士表示，“此前中芯國際已開發出一系列從130納米到65納米的特殊 NOR 閃存平臺。經過研發團隊專注及系統的努力，我們成功推出了38納米 NAND 閃存，在技術多元化方面取得重要進展，也為后續開發更先進的2x/1x納米及3D NAND 閃存奠定了穩固的基礎。我們將繼續努力推進 NAND 閃存技術的開發，以滿足無晶圓廠客戶對高質量標準的要求。”
中芯國際首席執行官兼執行董事邱慈云博士表示，“這一重要里程碑對中芯國際以及特殊存儲器客戶及合作伙伴，都具有重大的戰略性意義。對客戶來說，中芯國際顯示了其在非易失性存儲技術開發方面的決心和能力。此外，還證明中芯國際有足夠的實力在精心選擇的細分市場確立領導地位。”
