新的光刻工具將在5nm需要,但薄膜,阻抗和正常運(yùn)行時(shí)間仍然存在問(wèn)題。
Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù),但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前,仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。
EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來(lái)是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過(guò)去了,EUV已經(jīng)遇到了一些延遲,將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段。
如今,GlobalFoundries,英特爾,三星和臺(tái)積電相互競(jìng)爭(zhēng),將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量制造(HVM),從2018年到2020年的時(shí)間范圍,這取決于供應(yīng)商。此外,美光,三星和SK海力士希望1xnm DRAM使用EUV。
但和以前一樣,在EUV進(jìn)入到HVM之前,有些pieces必須聚合在一起。而芯片制造商還必須權(quán)衡復(fù)雜的分類(lèi)。
根據(jù)行業(yè)的最新數(shù)據(jù),以下是當(dāng)前EUV狀況的快照,以及其中的一些權(quán)衡: • ASML正在其期待已久的250瓦特電源安裝其首款具有生產(chǎn)價(jià)值的EUV掃描儀,這將在年底完成。然而,EUV的正常運(yùn)行時(shí)間仍然是一個(gè)問(wèn)題。 • 阻抗,暴露于光線時(shí)在表面形成圖案的材料,今天正在努力達(dá)到EUV的目標(biāo)規(guī)格。該規(guī)格可以減少,但吞吐量受到打擊。有時(shí),與抗蝕劑的相互作用可能會(huì)導(dǎo)致過(guò)程的變化甚至模式故障。 • EUV薄膜,面膜基礎(chǔ)設(shè)施的重要組成部分,還沒(méi)有準(zhǔn)備好用于HVM。薄膜是防止顆粒落在面罩上的薄膜。因此,芯片制造商可能要么等待EUV防護(hù)薄膜,要么沒(méi)有它們就要投入生產(chǎn),至少在初期。
盡管如此,即使沒(méi)有這些部分,芯片制造商也可以在7nm處插入EUV光刻技術(shù)。使用強(qiáng)力方法,可以為一層或多層插入EUV。然而,在5nm及以后,EUV還沒(méi)有準(zhǔn)備好在這些節(jié)點(diǎn)上滿(mǎn)足更嚴(yán)格的規(guī)范,這意味著行業(yè)必須花更多的時(shí)間和金錢(qián)來(lái)解決這些問(wèn)題。
Stifel Nicolaus的分析師何志謙表示:“我們正在越來(lái)越多的采用EUV進(jìn)行批量生產(chǎn)。有些事情需要解決,客戶(hù)的EUV可以使用多少層次。英特爾更保守。三星更看好,因?yàn)樗麄兿氚阉谌隓RAM和代工/邏輯。我相信在臺(tái)積電5nm節(jié)點(diǎn)上將會(huì)實(shí)現(xiàn)全面的HVM實(shí)現(xiàn),這可能意味著2020-2021。
顯然,代工客戶(hù)需要保持領(lǐng)先于EUV的曲線。為了幫助行業(yè)獲得一些洞察力,Semiconductor Engineering已經(jīng)看到了EUV掃描儀/源頭、阻抗和光罩掩膜基礎(chǔ)設(shè)施三個(gè)主要部分的技術(shù)。
為什么選擇EUV? 今天,芯片制造商使用193nm波長(zhǎng)光刻技術(shù)來(lái)對(duì)晶片上的精細(xì)特征進(jìn)行圖案化。實(shí)際上,193nm浸沒(méi)式光刻在80nm間距(40nm半間距)下達(dá)到極限。
因此,從22nm / 20nm開(kāi)始,芯片制造商開(kāi)始使用193nm浸沒(méi)光刻以及各種多種圖案化技術(shù)。為了減小超過(guò)40nm的間距,多個(gè)圖案化涉及在晶圓廠中使用幾個(gè)光刻,蝕刻和沉積步驟的過(guò)程。
 圖1:自對(duì)準(zhǔn)間隔避免掩模未對(duì)準(zhǔn)。來(lái)源:Lam Research
 圖2:雙圖案化增加密度。來(lái)源Lam Research
多個(gè)圖案化工作,但它增加了更多的步驟,從而增加流程中的成本和周期時(shí)間。循環(huán)時(shí)間是從開(kāi)始到結(jié)束處理晶圓的晶片所花費(fèi)的時(shí)間。
為了解決這些問(wèn)題,芯片制造商想要EUV。但是由于EUV尚未準(zhǔn)備好在7nm的初始階段,芯片制造商將首先使用浸入/多圖案化。希望是在7nm以后插入EUV。 EUV是5nm必須的。
D2S首席執(zhí)行官藤本真雄(Aki Fujimura)表示:“從成本的角度來(lái)看,7nm將實(shí)用化,盡管可能并不理想。 “(業(yè)內(nèi)人士)希望隨著7nm的音量增加,EUV將采用相同的設(shè)計(jì)規(guī)則。 5nm從實(shí)際的角度來(lái)看真的是沒(méi)有EUV的。“
最初,EUV針對(duì)7nm的觸點(diǎn)和通孔。根據(jù)GlobalFoundries的說(shuō)法,為了處理接觸/通孔,它需要每層兩到四個(gè)掩模用于7nm的光刻。
然而,使用EUV,每層只需要一個(gè)掩模來(lái)處理7nm和5nm的接觸/通孔。根據(jù)ASML,理論上,EUV簡(jiǎn)化了流程,并將生產(chǎn)周期的周期縮短了約30天。
“這是一個(gè)相當(dāng)不錯(cuò)的折衷,因?yàn)槟愕慕灰姿膱D案或一個(gè)面具接觸的三重圖案,”加里•帕頓,在首席技術(shù)官GlobalFoundries的。“這并不影響任何的設(shè)計(jì)規(guī)則要么,所以客戶(hù)可以得到循環(huán)時(shí)間和更好的收益率的優(yōu)勢(shì)。而且,因?yàn)樗菧?zhǔn)備好了,我們會(huì)由(EUV)以上的地方,我們會(huì)做金屬水平和縮小“。
EUV的早期采用者希望在2019年至2020年期間將7nm技術(shù)插入其中。“這是中心。 GlobalFoundries的高級(jí)研究員和技術(shù)研究高級(jí)總監(jiān)Harry Levinson表示:“我們正更加努。四大芯片公司在未來(lái)幾年都處于HVM的軌道上。 現(xiàn)在真正的問(wèn)題是誰(shuí)將是第一,誰(shuí)將是第二。
問(wèn)題的根源 不過(guò),在此之前,芯片制造商必須首先將EUV引入HVM。 這被證明比以前認(rèn)為的更困難,因?yàn)镋UV光刻的復(fù)雜性令人難以置信。
 圖3:該EUV的復(fù)雜性。來(lái)源:ASML
在EUV中,電源將等離子體轉(zhuǎn)換成13.5nm波長(zhǎng)的光。 然后,光反彈了10個(gè)多層鏡子的復(fù)雜方案。 在這一點(diǎn)上,光通過(guò)可編程照明器并擊中面罩。 從那里,它會(huì)彈出六個(gè)多層鏡子,并以6%的角度擊中晶片。

圖4:準(zhǔn)確彈跳光 來(lái)源:ASML /Carl Zeiss SMT Gmbh
最大的挑戰(zhàn)是電源。它不會(huì)產(chǎn)生足夠的電源或EUV光,以使EUV掃描儀能夠足夠快,或使其經(jīng)濟(jì)可行。
為了使EUV進(jìn)入HVM,芯片制造商需要能產(chǎn)生250瓦功率皆???"http://www.xebio.com.cn/rf" target="_blank" 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不久前,業(yè)內(nèi)人士堅(jiān)持認(rèn)為,EUV掃描儀可以在沒(méi)有防護(hù)眼鏡的環(huán)境中處理干凈的環(huán)境。然后,芯片制造商改變了他們的立場(chǎng),表示不會(huì)保證EUV掃描儀或其他工具在流程中保持100%的清潔。沒(méi)有防護(hù)薄膜制造商說(shuō),EUV面罩容易發(fā)生顆粒和缺陷。
所以行業(yè)開(kāi)始開(kāi)發(fā)EUV防護(hù)薄膜。用于光學(xué)掩模的防護(hù)薄膜基于薄聚合物材料。相比之下,唯一的EUV防護(hù)薄膜供應(yīng)商ASML開(kāi)發(fā)出了僅50納米厚的多晶硅型EUV防護(hù)薄膜。
在操作中,當(dāng)EUV燈擊中防護(hù)薄膜時(shí),膜的溫度將從600攝氏度升高到1000攝氏度。
問(wèn)題是防護(hù)薄片是脆的。在這些溫度下,有些人擔(dān)心EUV防護(hù)薄膜可能會(huì)在加工過(guò)程中惡化,造成EUV面罩和掃描儀的損壞。
到目前為止,ASML的EUV防護(hù)薄膜已經(jīng)用140V的EUV電源進(jìn)行了測(cè)試。但是,防護(hù)薄膜將如何反應(yīng)250瓦特源仍然不清楚。
應(yīng)用材料面具和TSV蝕刻部門(mén)的技術(shù)人員和CTO主要負(fù)責(zé)人Wu Banqiu說(shuō):“對(duì)于機(jī)械強(qiáng)度和應(yīng)用性能,EUV薄膜有一些挑戰(zhàn)。 “防護(hù)薄膜吸收一些EUV能量。這種能量會(huì)導(dǎo)致防護(hù)薄膜的溫度升高。防護(hù)薄膜也存在于真空中。這意味著自然對(duì)流冷卻非常低。天然的熱轉(zhuǎn)移非常困難,因?yàn)榉雷o(hù)薄膜太薄了。“
總而言之,關(guān)于在HVM中使用多晶硅薄膜,如果不懷疑,仍然存在一些不確定性。所以現(xiàn)在,行業(yè)正在改變調(diào)整和考慮兩個(gè)選擇 - 等待一個(gè)HVM防護(hù)薄片或沒(méi)有他們開(kāi)始生產(chǎn)。
英特爾表示,如果沒(méi)有防護(hù)眼鏡,它將不會(huì)進(jìn)入EUV生產(chǎn)。英特爾的Farnsworth說(shuō):“我們正在積極地研究它。
然而,該行業(yè)正在對(duì)沖它的投注。至少在初期,許多人也在考慮計(jì)劃進(jìn)入EUV生產(chǎn)而沒(méi)有防護(hù)眼鏡。
在理論上,使用EUV,芯片制造商可以處理沒(méi)有防護(hù)薄膜的接觸和通孔。 “對(duì)于那些人來(lái)說(shuō),不需要一個(gè)防護(hù)薄膜,因?yàn)殛P(guān)鍵區(qū)域較小。因此,造成問(wèn)題的粒子的風(fēng)險(xiǎn)較小,“GlobalFoundries Patton說(shuō)。
但是有一些后果。即使EUV掃描儀是干凈的,不需要的顆粒也會(huì)粘在掩模上。
因此,如果芯片制造商在沒(méi)有防護(hù)膜的情況下投入生產(chǎn),則必須在流程中實(shí)施更多的掩模檢查和清潔步驟。 “我們將做我們所做的與晶片印刷和晶圓檢查,”GlobalFoundries的萊文森說(shuō),“但是很痛苦。 所以,我們需要一個(gè)好的防護(hù)薄膜解決方案。“
在研發(fā)方面,該行業(yè)正在研究下一代薄膜和面具基礎(chǔ)設(shè)施的其他部分。 可以肯定的是,對(duì)于EUV抗議的發(fā)展也有緊迫感。 而且,當(dāng)然還有電源。 這一切會(huì)實(shí)現(xiàn)嗎? 時(shí)間會(huì)告訴我們EUV光刻傳奇。 |