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中國武漢新芯發(fā)展 3D NAND 用飛的？分析師：2018 量產(chǎn) 48 層堆疊

2016-05-13 12:39:23 n

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武漢新芯內(nèi)存生產(chǎn)基地在 3 月正式啟動，目標(biāo)在 2030 年成為月產(chǎn)能百萬片的半導(dǎo)體巨人，科技新報先前曾發(fā)布專文，闡述武漢新芯發(fā)展內(nèi)存的難點，不過，現(xiàn)在有花旗分析師認(rèn)為，武漢新芯 2017 年可完成 48 層 3D NAND Flash 生產(chǎn)驗證，到 2018 年就能量產(chǎn)。

3D NAND Flash 被武漢新芯視為在內(nèi)存產(chǎn)業(yè)彎道超車的關(guān)鍵，搭上美國飛索半導(dǎo)體（Spansion，現(xiàn)已并入 Cypress），由武漢新芯出錢，飛索出技術(shù)，武漢新芯得以使用傳統(tǒng)懸浮閘式（Floating Gate）以及開發(fā) 3D NAND Flash 重要的電荷儲存式（Charge trap）技術(shù)專利。

據(jù)悉，Spansion 實驗室 3D NAND Flash 產(chǎn)品堆疊不到 10 層，不過，花旗集團(tuán)半導(dǎo)體設(shè)備分析師 Atif Malik 在近期報告看好武漢新芯在 3D NAND Flash 的發(fā)展，指出其在 2017 年即可完成 48 層 3D NAND Flash 生產(chǎn)驗證，到 2018 年就能量產(chǎn)。而科技新報先前取得的消息，估計 2017 年，武漢新芯將量產(chǎn) 32 層堆疊產(chǎn)品。

3D NAND Flash 技術(shù)有其難點，即便最先量產(chǎn) 3D NAND 產(chǎn)品的三星，也在關(guān)鍵技術(shù)提出后的六年才真正發(fā)布 3D NAND Flash 產(chǎn)品“V-NAND”，包含 SK 海力士、東芝/SanDisk、美光/英特爾各家廠商，也在最近一年旗下 3D NAND Flash 產(chǎn)品才陸續(xù)進(jìn)入量產(chǎn)。

（Source：DRAMeXchange）

目前三星、SK 海力士與東芝/SanDisk 的 3D NAND Flash 技術(shù)已來到 48 層，據(jù)調(diào)研機(jī)構(gòu) Techinsights 整理的各家廠商技術(shù)藍(lán)圖（Roadmap），到 2018 年武漢新芯產(chǎn)品量產(chǎn)，三星的堆疊層數(shù)將上看 96 層。

2015 年5 月，武漢新芯才與NOR 內(nèi)存廠商飛索半導(dǎo)體（Spansion）簽訂合作協(xié)議與交叉授權(quán)發(fā)展3D NAND Flash，倘若武漢新芯真在 2018 年量產(chǎn) 48 層 3D NAND Flash，相較三星在 2006 年左右即投入 3D NAND Flash 的研發(fā)，到 2015 年第四季量產(chǎn) 48 層 3D NAND 產(chǎn)品，等于三星花了九年時間做到的事，武漢新芯花三年就做到。

調(diào)研機(jī)構(gòu) IHS 半導(dǎo)體價值鏈主管 Akira Minamikawa 等人先前唱衰，即便三星、東芝等 NAND Flash 廠商，都花了很長一段時間，并耗費了相當(dāng)大的資源，才成功量產(chǎn) 3D NAND Flash，武漢新芯要發(fā)展 3D NAND Flash 相當(dāng)困難。

究竟哪個分析師才是有先見之明？武漢新芯是否真能成功，2018 年見分曉！