在近日于美國舉行的年度國際固態電路會議(ISSCC)上，三星(Samsung)與
臺積電(
TSMC)針對7納米製程技術，分別提供了截然不同的觀點；兩家公司都是介紹SRAM技術進展，而該技術通常都是新一代節點的關鍵推手。
臺積電的論文描述了一款
測試晶片，能做為商用元件而且號稱擁有「健康的」良率；三星的論文則是敘述利用極紫外光(
EUV)微影修復顯然是研發元件的經驗，并透露7納米製程可能還需要等待幾年的時間。兩家公司都想要成為提供先進製程晶圓代工服務的領導廠商，不過他們對于7納米製程的策略卻大不相同。
臺積電顯然是拿到了大部分的蘋果(Apple) iPhone
處理器SoC生意，這需要每年在製程技術上有一些進展；因此
臺積電已經開始為iPhone 7量產10納米晶片，并得在明年為iPhone 8量產7納米晶片。而沒了蘋果生意的三星，則可以在某種程度上的「名詞游戲」中喘口氣；因此該公司會稍微延后7納米的量產時程，但以某種形式展現領導地位──就是
EUV。
與
英特爾(Intel)在
半導體製造領域各顯身手、激烈競爭的兩家公司都有了一些令人讚賞的進展，不過相關技術細節非常稀少；
臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7納米製程SRAM
測試晶片，儲存單元區域達到0.027mm見方，如該公司記憶體部門總監Jonathan Chang在簡報中所言：「是今年試產出的最小SRAM。」
（來源：ISSCC）
而產生的SRAM宏單元(macro)會是
臺積電的16納米制程版本之0.34倍，採用了7層金屬層，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報中，關鍵內容是這顆SRAM幾乎已經「全熟」，他表示：「我們現在已經能以非常非常健康的良率生產…與我們的設計目標相符。」
三星的進展則更偏向研究，開發的部分比較少；該公司打造了8 Mbit
測試SRAM，只能看到未來商用7納米制程的一小部分。
三星提供了其7納米SRAM (上)會比10納米SRAM (下)小30%的概念影像
該晶片就其本身而言并不是以
EUV微影制作，三星開發了一種創新的維修(repair)制程，在現有的步進機以及
EUV設備上都
測試過，而并不令人驚訝的，
EUV的效果比較好；一般來說維修并不是制程，因此這項成果對于三星正在進行的7納米制程
EUV微影技術開發情況，能透露的不多。
產業專家們大多認為，
EUV將能在2020年左右準備好應用于某些關鍵層的制造；三星在去年底表示，將在7納米制程採用
EUV微影，但并沒有透露其應用的侷限程度。
三星是否會在所謂的7納米制程落后
臺積電一年、兩年甚至三年？結果仍有待觀察。
三星可以在任何時候決定并根據現實情況定義其
EUV使用策略，而或許該公司屆時也會在行銷語言上說他們家的7納米制程更先進，因為用了
EUV。
