英飛凌推出全新高功率模塊平臺，并為業界提供免授權費封裝設計許可
2014-12-18 08:34:23 本站原創2014 年 12 月 17 日，德國慕尼黑訊——英飛凌科技股份有限公司 (FSE: IFX / OTCQX: IFNNY) 今日宣布推出兩款全新功率模塊平臺，用以提升 1200V 至 6.5 kV 電壓級別的高壓 IGBT的性能。為使新模塊的優點得到更廣泛應用，英飛凌將向所有 IGBT 功率模塊生產商提供免授權費許可。使用該平臺概念的首批產品將包括3.3kV (450A)、4.5kV (400A) 和6.5kV (275 A)等電壓等級，并采用全新的100mm X 140mm X 40mm 封裝設計尺寸。新模塊將于 2015 年 5 月 19 日 至 21 日在德國紐倫堡舉辦的PCIM展期間亮相，同時低電壓等級的封裝正在開發中。
高性能可靠的IGBT模塊是工業和牽引驅動、風能和光伏、長距離輸電等應用的關鍵技術。歷經 30 年開發，芯片技術已發展到能讓IGBT滿足越來越高的能效和工作溫度要求，而且逐漸小型化，可靠性不斷提高，成本降低，而僅基于對標準封裝技術的有限改進。但面對越來越苛刻和惡劣的應用環境，這種方法已到達極限，使得高功率模塊封裝技術的改進成為性能持續改善的關鍵因素。
英飛凌開發的新模塊平臺符合當前的高功率密度、高能效、長生命周期和高堅固性等新系統要求。此靈活概念允許將相同部件并聯，因此使得直流母線端子和電容器的結構更為簡化。交流端子可只通過一個匯流排直接并聯。這一新型模塊的靈活性和可擴展性極大地簡化了系統設計，能夠讓開發人員縮短產品從設計到投放市場的所需時間。全新高功率模塊采用最新的封裝技術，有助于減少系統總成本和確保設計的未來適用性。
英飛凌科技股份有限公司工業功率控制部高功率產品總監Markus Hermwille表示：“考慮到IGBT技術正面臨著越來越多的挑戰，我們非常高興能夠推出一種滿足當前和可預見未來的工業需求封裝技術。我們十分肯定的是，這種全新模塊封裝將為所有要求苛刻的高功率應用帶來極大益處。我們的目標是通過供應全新高功率平臺來構建廣泛和可靠的基礎，這就是我們邀請業界采用這種設計的原因。”
供貨
采用此全新封裝設計的第一批產品為3.3kV模塊，將于2015年5月開始供應樣品；2016年下半年開始量產。更多關于此全新高功率平臺的信息，請訪問 www.infineon.com/theanswer。
