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2008年2月26日， 德國紐倫堡（嵌入式世界大會）訊--領(lǐng)先的磁阻式隨機(jī)存取存儲器（ MRAM）產(chǎn)品提供商飛思卡爾半導(dǎo)體公司為環(huán)境苛刻的應(yīng)用，如軍事、航空航天、工業(yè)和汽車系統(tǒng)等提供非易失性存儲技術(shù)。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力計子系統(tǒng)中使用飛思卡爾的溫度范圍更大的4Mbit，該系統(tǒng)將被搭載在日本的一顆研究衛(wèi)星發(fā)射進(jìn)入太空。

Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit (TAMU)中使用飛思卡爾的 MRAM，TAMU是被稱為SpriteSat的日本研究衛(wèi)星的磁力計子系統(tǒng)。在開發(fā)衛(wèi)星子系統(tǒng)的過程中，Angstrom Aerospace與瑞典皇家技術(shù)學(xué)院材料物理與應(yīng)用自旋電子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。

"我從事MRAM工作多年，在數(shù)據(jù)存儲的可靠性和持久性方面，同類產(chǎn)品無法與飛思卡爾的MRAM產(chǎn)品相比，" Johan Akerman博士說，"飛思卡爾的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛(wèi)星研發(fā)工作的不同階段重新配置關(guān)鍵程序和路線定義，這是一項非常了不起的優(yōu)勢。

TAMU計劃為SpriteSat 提供地球磁場的磁強(qiáng)計數(shù)據(jù)。SpriteSat項目由Kazuya Yoshida教授領(lǐng)導(dǎo)，在位于日本仙臺的Tohoku大學(xué)興建。計劃于2008年底升空的SpriteSat的任務(wù)是監(jiān)視地球上層大氣中的"sprite" 現(xiàn)象（閃電效應(yīng)）。

Angstrom Aerospace之所以選擇飛思卡爾的4Mbit MRAM器件，是因為它集合了眾多優(yōu)點(diǎn)，如非易失性內(nèi)存、擴(kuò)展的溫度操作、耐力持久以及長時間數(shù)據(jù)保留（即使在斷電的情況下）。MRAM能夠在一塊內(nèi)存上保存程序數(shù)據(jù)和FPGA配置數(shù)據(jù)，讓Angstrom Aerospace將所有存儲需求縮減到一個芯片上，從而降低了主板區(qū)域。同時，MRAM存儲的靈活性也使得系統(tǒng)能夠在太空中進(jìn)行重新配置。

"MRAM溫度范圍的擴(kuò)大為惡劣環(huán)境中的系統(tǒng)設(shè)計（如TAMU）提供了獨(dú)特的高溫和高可靠性，"飛思卡爾MRAM產(chǎn)品經(jīng)理David Bondurant表示，"MRAM的優(yōu)勢還延伸到運(yùn)輸和工業(yè)市場，在這一領(lǐng)域，飛思卡爾正在與那些需要大量快速且經(jīng)濟(jì)高效的內(nèi)存的開發(fā)人員合作，這些內(nèi)存是非常理想的非易失性內(nèi)存，可進(jìn)行大量讀寫循環(huán)。"

非易失性 RAM市場增長強(qiáng)勁
除了Angstrom Aerospace的MRAM部署外，航空航天和國防領(lǐng)域內(nèi)的一些世界領(lǐng)先OEM的專業(yè)組件設(shè)計、開發(fā)和制造商e2v也宣布使用飛思卡爾的MR2A16A 產(chǎn)品。該公司已經(jīng)發(fā)布了一個可靠性擴(kuò)展版本，該版本在整個軍事溫度范圍都能以百分百的性能水平操作，可以很好地滿足航空電子、國防和航空航天應(yīng)用的要求。

2003年，飛思卡爾向一些特定客戶展示了4mbit MRAM芯片。同年，霍尼韋爾公司簽署協(xié)議，許可MRAM技術(shù)在軍事和航天應(yīng)用中使用，直到今天，他們繼續(xù)圍繞這一技術(shù)構(gòu)建產(chǎn)品。

2006年，飛思卡爾發(fā)布了MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品，這是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的電池備份，飛思卡爾的MRAM產(chǎn)品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環(huán)境中順利完成這一任務(wù)所需的耐力、速度和可靠性。

有關(guān)飛思卡爾 MRAM產(chǎn)品和技術(shù)的更多信息，敬請訪問www.freescale.com/files/pr/mram.html。

關(guān)于飛思卡爾MRAM
MRAM使用結(jié)合了傳統(tǒng)硅電路的磁性材料，在一個耐力持久的器件中提供了SRAM的速度和閃存的非易失性。飛思卡爾的MRAM器件集非易失性內(nèi)存和RAM的最佳功能于一身，在新型智能電子設(shè)備中實現(xiàn)了"即時"功能和功率保護(hù)。 MRAM的器件適合于各種應(yīng)用，如聯(lián)網(wǎng)、安全、數(shù)據(jù)存儲、游戲和打印機(jī)等。溫度擴(kuò)展版本非常適合于惡劣應(yīng)用環(huán)境中，如軍事、航空航天及汽車設(shè)計。

飛思卡爾的MR2A16A 4Mbit 產(chǎn)品被授予2007年《Design News》年度Golden MouseTrap獎，2007 R&D 100 Award、《Electronic Products》2006年年度產(chǎn)品獎，《EE Times China》 2007年年度存儲產(chǎn)品獎、LSI的2007年度卓越產(chǎn)品獎以及ESEC Japan和2007 In-Stat/微處理器報告的年度創(chuàng)新產(chǎn)品獎。此外，飛思卡爾的MRAM器件還入圍EDN 的2006年創(chuàng)新獎和EE時報的2006年ECE獎的最終評選。

關(guān)于Angstrom Aerospace
Angstrom Aerospace Corporation是一家專門致力于基于微米和納米技術(shù)的三維系統(tǒng)封裝（3D-SiP）的SME公司。公司基于3D-SiP設(shè)計、開發(fā)和制造產(chǎn)品和服務(wù)，主營業(yè)務(wù)為太空、國防和專門應(yīng)用。Angstrom Aerospace Corporation是企業(yè)孵化器創(chuàng)新中心（ UIC ）的成員，Uppsala University Holding AB（UUAB）擁有其部分股權(quán)。 www.aaerospace.com

關(guān)于皇家技術(shù)學(xué)院--ICT學(xué)院
皇家技術(shù)學(xué)院(KTH)是瑞典最大的技術(shù)大學(xué)，共有在校生超過17000人。位于瑞典Kista的皇家技術(shù)學(xué)院ICT學(xué)院的微電子系致力于納米電子、光子學(xué)和自旋電子的研究。Johan Akerman博士領(lǐng)導(dǎo)下的應(yīng)用自旋電子集團(tuán)則致力于MRAM的創(chuàng)新使用及源自于MRAM的自旋技術(shù)。www.ict.kth.se

關(guān)于飛思卡爾半導(dǎo)體
飛思卡爾半導(dǎo)體是全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體公司，為汽車、消費(fèi)、工業(yè)、網(wǎng)絡(luò)和無線市場設(shè)計并制造嵌入式半導(dǎo)體產(chǎn)品。這家私營企業(yè)總部位于德州奧斯汀，在全球30多個國家和地區(qū)擁有設(shè)計、研發(fā)、制造和銷售機(jī)構(gòu)。飛思卡爾半導(dǎo)體是全球最大的半導(dǎo)體公司之一，2007年的總銷售額達(dá)到57億美元。如需了解其他信息，請訪問www.freescale.com