飛思卡爾的MRAM進入太空
2008-03-17 21:09:58 未知|
飛思卡爾的MRAM進入太空
日本衛星搭載MRAM進入太空軌道， MRAM許可業務勢頭不減 2008年2月26日， 德國紐倫堡（嵌入式世界大會）訊--領先的磁阻式隨機存取存儲器（ MRAM）產品提供商飛思卡爾半導體公司為環境苛刻的應用，如軍事、航空航天、工業和汽車系統等提供非易失性存儲技術。Angstrom Aerospace最近宣布在其磁力計子系統中使用飛思卡爾的溫度范圍更大的4Mbit，該系統將被搭載在日本的一顆研究衛星發射進入太空。 Angstrom Aerospace在其Tohoku-AAC MEMS Unit (TAMU)中使用飛思卡爾的 MRAM，TAMU是被稱為SpriteSat的日本研究衛星的磁力計子系統。在開發衛星子系統的過程中，Angstrom Aerospace與瑞典皇家技術學院材料物理與應用自旋電子的知名教授Johan Akerman博士通力合作。 "我從事MRAM工作多年，在數據存儲的可靠性和持久性方面，同類產品無法與飛思卡爾的MRAM產品相比，" Johan Akerman博士說，"飛思卡爾的4mbit MRAM器件取代了SpriteSat的Angstrom模塊中的閃存和以電池為電源的SRAM。能夠在衛星研發工作的不同階段重新配置關鍵程序和路線定義，這是一項非常了不起的優勢。 TAMU計劃為SpriteSat 提供地球磁場的磁強計數據。SpriteSat項目由Kazuya Yoshida教授領導，在位于日本仙臺的Tohoku大學興建。計劃于2008年底升空的SpriteSat的任務是監視地球上層大氣中的"sprite" 現象（閃電效應）。 Angstrom Aerospace之所以選擇飛思卡爾的4Mbit MRAM器件，是因為它集合了眾多優點，如非易失性內存、擴展的溫度操作、耐力持久以及長時間數據保留（即使在斷電的情況下）。MRAM能夠在一塊內存上保存程序數據和FPGA配置數據，讓Angstrom Aerospace將所有存儲需求縮減到一個芯片上，從而降低了主板區域。同時，MRAM存儲的靈活性也使得系統能夠在太空中進行重新配置。 "MRAM溫度范圍的擴大為惡劣環境中的系統設計（如TAMU）提供了獨特的高溫和高可靠性，"飛思卡爾MRAM產品經理David Bondurant表示，"MRAM的優勢還延伸到運輸和工業市場，在這一領域，飛思卡爾正在與那些需要大量快速且經濟高效的內存的開發人員合作，這些內存是非常理想的非易失性內存，可進行大量讀寫循環。"
非易失性 RAM市場增長強勁
2003年，飛思卡爾向一些特定客戶展示了4mbit MRAM芯片。同年，霍尼韋爾公司簽署協議，許可MRAM技術在軍事和航天應用中使用，直到今天，他們繼續圍繞這一技術構建產品。 2006年，飛思卡爾發布了MR2A16A 4Mbit 產品，這是世界上的第一款商用MRAM器件。由于很多顧客都在尋求用一粒單片取代閃存、SRAM和EEPROM的替代方案，消除SRAM的電池備份，飛思卡爾的MRAM產品已迅速成為首選解決方案。它們提供了在苛刻環境中順利完成這一任務所需的耐力、速度和可靠性。 有關飛思卡爾 MRAM產品和技術的更多信息，敬請訪問www.freescale.com/files/pr/mram.html。
關于飛思卡爾MRAM
飛思卡爾的MR2A16A 4Mbit 產品被授予2007年《Design News》年度Golden MouseTrap獎，2007 R&D 100 Award、《Electronic Products》2006年年度產品獎，《EE Times China》 2007年年度存儲產品獎、LSI的2007年度卓越產品獎以及ESEC Japan和2007 In-Stat/微處理器報告的年度創新產品獎。此外，飛思卡爾的MRAM器件還入圍EDN 的2006年創新獎和EE時報的2006年ECE獎的最終評選。
關于Angstrom Aerospace
關于皇家技術學院--ICT學院
關于飛思卡爾半導體
|
