臺積電：7nm和5nm性能增強版制程已使用
2019-08-01 08:45:45 中關村在線
據悉，N7P 采用經過驗證的深紫外（DUV）光刻技術。與 N7 相比，它沒有增加晶體管的密度。需要高出約 18~20％ 晶體管密度的客戶，預計需要使用臺積電的 N7+ 和 N6 工藝 —— 后者使用極紫外（EUV）光刻技術進行多層處理。
盡管 N7 和 N6 都是未來幾年的“長”節點，但臺積電會在下一個 N5 節點帶來顯著的密度、功耗和性能改進。
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