英特爾10nm計劃將提前 進一步領先臺積電
2013-05-27 22:34:15 本站原創半導體巨人英特爾發布最新的先進制程技術藍圖，其中眾所關注的10納米預計2015年量產，比原先規劃時間提早一年，并進一步拉大領先臺積電的時間。
臺積電的10納米預計2017年量產，較英特爾晚兩年。半導體業界人士表示，雖然英特爾技術不斷超前，是因應處理器速度的需求，但英特爾已在晶圓代工正式卡位，一旦10納米在2015年量產，對臺積電仍有潛在的競爭壓力。
臺積電日前一度因為美國寬松貨幣政策傳出退場，跌破108元月線區，昨天股價收盤小漲1.5元，收在109.5元，股價獲得支撐。
英特爾副總經理兼元件研究處長麥克(Mike Mayberry)在剛剛落幕的比利時微電子研究機構IMEC2013科技論壇演講中確認，英特爾已確定10納米可于2015年量產。
根據最新技術藍圖，英特爾重申繼續執行「Tick-Tock」發展策略，也就是每兩年將對半導體技術制程進行大規模升級。英特爾預計2014年導入14納米制程，2015年導入10奈足制程，并計劃于2017年抵達7納米的極先進水平。
不過，麥克(Mike Mayberry)表示，英特爾也在研發10納米以下替代矽的半導體材料，如3-D晶體管、三五族復合半導等，只希望能將半導體性能發揮至極致，提升各類運算的應用需求。
英特爾今年初因與臺積電大客戶阿爾特拉(Altera)簽署14 納米Finfet代工合約，被視為進軍晶圓代工的正式起跑點。
臺積電共同營運長暨執行副總蔣尚義上月表示，臺積電以前與英特爾「河水不犯井水」，不過，隨著英特爾開始搶臺積電客戶的生意，臺積電先進制程技術發展將加速，希望在10納米全面趕上英特爾。
臺積電預計16納米Finfet僅與20納米差距一年，于2015年推出，10納米計劃2017年導入量產，在英特爾技術不斷領先下，對臺積電形成挑戰。
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