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支持功率因數(shù)校正和反激拓?fù)涞男滦?50 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件

2018-08-30 05:44:19 未知

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

更高密度的低功率SMPS設(shè)計(jì)需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）推出CoolMOS™ P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結(jié)MOSFET器件。該器件甚至能達(dá)到最嚴(yán)格的設(shè)計(jì)要求：用于照明、智能電表、移動(dòng)充電器、筆記本適配器、AUX電源和工業(yè)SMPS應(yīng)用。這種全新半導(dǎo)體解決方案能實(shí)現(xiàn)出色的散熱性能及能源效率，減少用料并降低總生產(chǎn)成本。

950 V CoolMOS P7的特性包括出色的DPAK導(dǎo)通電阻，能實(shí)現(xiàn)更高密度的設(shè)計(jì)。此外，出色的VGS(th)和最低VGS(th)容差使該MOSFET器件易于驅(qū)動(dòng)和設(shè)計(jì)。與英飛凌業(yè)界領(lǐng)先的P7系列其他成員類似的是，該器件集成齊納二極管ESD保護(hù)機(jī)制。這可以提高裝配生產(chǎn)量，從而降低成本，并減少與ESD有關(guān)的生產(chǎn)問題。

950 V CoolMOS P7能使效率提升達(dá)1%，并且MOSFET溫度得以降低2 ˚C到10 ˚C，實(shí)現(xiàn)更高能效的設(shè)計(jì)。相比前幾代CoolMOS系列而言，該器件還將開關(guān)損耗降低達(dá)58%。較之市場上的競爭技術(shù)，這方面的性能提升超過50%。

950 V CoolMOS P7采用TO-220 FullPAK、TO-251 IPAK LL、TO-252 DPAK和SOT-223封裝。這樣就可以從通孔插裝器件（THD）變?yōu)?/span>表面貼裝器件（SMD）。