“跑道形NLDMOS晶體管及其制作方法”專利技術填補國內空白
2015-01-24 11:43:57 本站原創該項專利提供一種提高跑道形NLDMOS晶體管及其制作方法，采用圓環形結構在N型漂移區形成P型同心環，通過調整P型同心環的半徑控制P型雜質總量，從而與N型雜質達到電荷平衡，提高跑道形器件結構彎道部分耐壓的方式。傳統方式是在彎道部分形成簡單的PN結，PN結的反向耐壓即為器件彎道部分的耐壓，這種方式雖然簡單，但卻使彎道部分不存在溝道，從而浪費了芯片面積。采用該技術不僅可在跑道形器件結構的彎道部分提高耐壓，而且可以在彎道部分保留溝道，使器件電流變大，達到有效利用芯片面積，增大電流，降低導通電阻的目的。
圍繞上述主專利，華潤上華還分別在國內外申請了41項周邊專利，構成專利組合，對華潤上華所經營的特定領域進行系統控制和保護，使華潤上華獲得持續的競爭優勢。目前，華潤上華在國內單芯片LED照明驅動電源市場中的市場占有率達到100%，有國內外知名客戶21家，部分產品已成功被大眾、奧迪等汽車廠商使用。
