極紫外光刻2015年商用：目標10nm
2013-11-01 20:12:43 本站原創全球最大的半導體制造設備供應商荷蘭ASML今天重申，極紫外(EUV)光刻技術將在2015年如期投入商用，各大半導體廠商都在摩拳擦掌。
ASML首席執行官兼總裁Peter Wennink公開表示：“NXE:3300B極紫外光刻掃描儀的整合工作正在穩步進行。我們的目標依然是明年達到每小時70塊晶圓的產量，2015年還可升級到125塊。從過去幾個季度的進展看，客戶們已經加強了與我們的合作，不斷調配投資和資源，準備10nm節點上應用極紫外光刻。”
ASML計劃在今年底出貨首批三臺NXE:3300B光刻機，其中一臺年內即可帶來收入，另外兩臺得明年初。2015年的出貨量將達到12-30臺。
極紫外光刻機最大的問題是光源功率不夠，目前只有55W，每小時只能產出43塊晶圓。如果要實現明后年的預定目標，特別是后年投入商用，首先得提高到105W，而最終需要多高還沒有完全確定。
另據稱，盡管經濟環境一般，Intel、臺積電、三星、GlobalFoundries等客戶都加大了半導體設備采購力度，ASML也會在今年第四季度批量出貨20nm、16nm、14nm工藝的相關制造設備。
