全球首創45nm嵌入式閃存 100萬次擦寫
2013-05-20 20:02:05 本站原創三星電子近日宣布，正在開發全球首款采用45nm工藝的嵌入式閃存eFlash，并且已經成功在智能卡測試芯片上部署了新工藝，為量產和商用打下了堅實基礎。
三星宣稱，基于其45nm eFlash的智能卡電路具備極高的可靠性、耐久性，每個閃存存儲單元都可以確保100萬次的擦寫循環，是市面上其他方案50萬次的兩倍，因此性能也是極為出色的。
而通過對閃存單元架構、操作機制的雙重改進，測試芯片的隨機訪問性能、能耗相比于上代80nm eFlash分別提升了50%、25%。
三星計劃在2014年下半年出貨基于45nm eFlash的智能卡電路的樣品。除此之外，這種嵌入式閃存還可用于NFC、eSE(嵌入式安全設備)、TPM(可信賴平臺模塊)等領域。
