東芝為ARM內(nèi)核微控制器開發(fā)高速NANO FLASH(TM)-100閃存
2013-02-07 17:38:29 本站原創(chuàng)東芝公司(Toshiba Corporation)日前宣布，該公司已經(jīng)基于其最初的NANO FLASH™，為嵌入式微控制器開發(fā)出訪問速度更快的NANO FLASH™-100閃存。
開發(fā)背景：
嵌入式微控制器的豐富功能和高速性能需要更多訪問速度更快的閃存。在意識到這一需求后，東芝開發(fā)了融合兩大特性，即基于NAND閃存單元設(shè)備技術(shù)的高速編程和NOR閃存電路技術(shù)的NANO FLASH™。隨后，東芝將這一高端性能帶給其獨創(chuàng)的微控制器和ARM內(nèi)核微控制器。如今，隨著越來越多的用戶使用ARM內(nèi)核微處理器，市場上開始需求速度更快的大內(nèi)存容量。NANO FLASH™-100便非常適合該市場。
特性：
· 隨機訪問頻率為業(yè)界最高的100MHz(見注1)時，新開發(fā)的NANO FLASH™-100的等待周期為零。這就讓ARM微處理器的內(nèi)核能夠充分利用需要高速、大容量內(nèi)存應(yīng)用的出色性能和代碼密度。
· 通過利用NANO FLASH™微控制器的超低功耗技術(shù)，就可開發(fā)出多種高速、低功耗應(yīng)用。
繼其首款NANO FLASH™-100產(chǎn)品TMPM440F10XBG之后，東芝將推出更多基于ARM內(nèi)核的產(chǎn)品，并將一如既往地為嵌入式微控制器積極開發(fā)閃存技術(shù)。
注1：根據(jù)東芝對嵌入式微控制器閃存所做的研究(截至2013年1月)
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