不怕斷電的內存 MRAM有望成為未來主流內存產品
2012-12-17 21:43:41 本站原創
市場一直希望能有一種斷電后能繼續保存數據的DRAM產品，其中的一種解決方案是在同一塊芯片上同時集成DRAM和閃存，不過對于那些更在意性能而不是容量的用戶來說， ST-MRAM(自旋扭矩磁性隨機存儲器)是一種更好的選擇。
Everspin剛剛宣布了其首款ST-MRAM，這款產品被集成在和DDR3外形尺寸一樣的模塊中，兼容JEDEC DDR3 1600規格，擁有最高3.2 GBytes/s的帶寬以及納秒級延遲。模塊樣品目前已經上市，而量產需要等到2013年。
有趣的是，早在20多年前，由于其不易揮發的特性，MRAM就被視為取代NAND閃存的潛在高性能產品。不過，從產品容量的角度來說，該技術還遠遠無法參與競爭。Everspin這次剛宣布的新品容量也僅有64Mb(8MB)。事實上，Everspin目前成熟的MRAM芯片只有4Mb，制造工藝也是過時的180nm制程。相比之下，Intel最新的CPU采用22nm制程。
MRAM的優勢在于其性能以及低功耗。在未來，內存技術有望超越閃存甚至是DRAM，達到SRAM的水平。只要獲得與閃存和DRAM相同的投資力度以及存在同樣大的市場需求，MRAM也有望稱為未來主流內存產品。
