作為非揮發(fā)性記憶體元件(F-RAM)和集成
半導(dǎo)體產(chǎn)品方面的領(lǐng)先研發(fā)商和供應(yīng)商，Ramtron國(guó)際公司宣布，該公司將推出256 Kb、2.7至3.6V工作電壓且具高速串口I2C內(nèi)存接口的非易失性F-RAM器件，新款產(chǎn)品型號(hào)為FM24L256。它采用小型8腳封裝，不但提供高性能數(shù)據(jù)采集功能，而且還能減低成本和縮小板空間，適用于從多功能打印機(jī)到工業(yè)電機(jī)控制器等各種設(shè)備應(yīng)用。
新款F-RAM存儲(chǔ)器具有顯著的優(yōu)勢(shì)，該FM24L256存儲(chǔ)器是容量為256千位的非易失性存儲(chǔ)器，它采用Ramtron先進(jìn)的鐵電存儲(chǔ)工藝。F-RAM存儲(chǔ)器的讀寫操作與RAM相似，并提供長(zhǎng)達(dá)10年的可靠數(shù)據(jù)保存，而同時(shí)免除了源自EEPROM和其它非易失性存儲(chǔ)器的復(fù)雜性、系統(tǒng)開銷和系統(tǒng)可靠性的問(wèn)題。
該款F-RAM存儲(chǔ)器主要功能和特點(diǎn)包括：(1) FM24L256以總線速度執(zhí)行寫操作，無(wú)寫入延遲，無(wú)需進(jìn)行數(shù)據(jù)輪詢即可開始下一個(gè)總線周期；(2) 新產(chǎn)品與同類EEPROM產(chǎn)品相比，F(xiàn)M24L256的寫入耐用性高出幾個(gè)數(shù)量級(jí)，而且由于執(zhí)行寫操作時(shí)不需要為寫入電路提供內(nèi)部升高的
電源電壓，因此功耗也較EEPROM低得多；(3) 新產(chǎn)品采用工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)的8腳SOIC封裝，工作電壓為2.7至3.6V，并可在-40℃至+85℃的整個(gè)工業(yè)溫度范圍內(nèi)工作。
