業界最高水準8吋氮化鎵上矽GaN on Silicon LED 芯片成功研發
2012-05-31 08:08:58 本站原創LED照明技術與解決方案的研發與制造領導廠商Bridgelux 公司，以及全球領導半導體制造商Toshiba公司，今日共同宣布成功開發出業界最高水準的 8 吋氮化鎵上矽（GaN on Silicon） LED芯片，采用350mA電流，電壓小于 3.1V，僅1.1mm 大小的LED芯片，亮度可達 614mW。Bridgelux 與 Toshiba在今年數月前才剛簽署一項共同合作協議，接下來雙方將進一步加快開發 LED 芯片的腳步，以因應全球對 LCD 面板和照明系統日漸增加的需求。
Toshiba 亦對Bridgelux 進行股權投資，以期共同追求固態照明（Solid State Lighting，SSL）領域的技術創新；這項投資將進一步促進兩家公司于 固態照明 領域的發展，并以Toshiba先進的矽加工和制造技術開發能力為基礎，加速推動 Bridgelux 氮化鎵上矽 LED 芯片技術的研究與開發。
Bridgelux 執行長 Bill Watkins 表示：“Toshiba 與 Bridgelux長期攜手開發技術，而股權投資將使兩家公司形成更密切的策略關系，以達到促進降低照明市場中固態照明解決方案成本的共同目標?！?/P>
Toshiba 副總裁暨半導體與儲存裝置產品執行副總裁Makoto Hideshima表示：“我們很高興能與 Bridgelux 共同進行開發活動，達到業界最佳效能的8 吋氮化鎵上矽 LED產品。我們將持續追求最先進的技術，目標將技術進一步商品化?！?/P>
