IDT推出針對(duì)高性能應(yīng)用的壓電 MEMS 振蕩器
2012-05-11 16:58:25 本站原創(chuàng)
IDT 的 4M 系列高性能 LVDS / LVPECL 振蕩器利用 IDT 專利的 CrystalFree pMEMS 諧振器技術(shù)，讓 IDT 能夠迅速在出廠時(shí)編程所需的輸出頻率，無需微調(diào)昂貴的晶體。此外，由于pMEMS 的本征諧振頻率遠(yuǎn)高于石英晶體，4M 振蕩器能夠以更低的成本實(shí)現(xiàn)更高的頻率而無需損耗關(guān)鍵性能。4M 系列是 IDT 廣泛 MEMS-based 器件組合的首款產(chǎn)品，將為客戶提供便利、精確和低抖動(dòng)的計(jì)時(shí)參考。
IDT 公司副總裁兼計(jì)時(shí)與同步部門總經(jīng)理 Fred Zust 表示：“作為計(jì)時(shí)領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，我們的客戶一直期望 IDT 的 pMEMS 技術(shù)能夠擴(kuò)展至通信這樣的高性能應(yīng)用，通信是 40 億美元頻率控制市場(chǎng)的重要細(xì)分市場(chǎng)。IDT 專利的 pMEMS 諧振器技術(shù)將壓電材料的強(qiáng)機(jī)電耦合與單晶硅的穩(wěn)定性和低阻尼相結(jié)合，允許我們憑借無與倫比的性能和可靠性實(shí)現(xiàn)便利且具有成本效益的 XO 替代。這些產(chǎn)品與我們屢獲殊榮的固態(tài)振蕩器相得益彰，可提供完整的頻率控制產(chǎn)品組合，從而在不斷增加的細(xì)分市場(chǎng)中替代石英器件。”
IDT 的 4M 振蕩器可在 -40°C 至 85°C 的廣泛工業(yè)溫度范圍內(nèi)以 ±50 ppm 的頻率精度運(yùn)行。器件支持低壓差分信號(hào)（LVDS）和低電壓正發(fā)射極耦合邏輯（LVPECL），頻率高達(dá) 625 MHz，可滿足大多數(shù)通信、網(wǎng)絡(luò)和高性能計(jì)算應(yīng)用的嚴(yán)格要求。除了 7.0 x 5.0 mm（7050）尺寸，IDT 的 pMEMS 振蕩器還提供 5.0 x 3.2 mm（5032）小型標(biāo)準(zhǔn)塑料封裝，可節(jié)省成本并在高密度的應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒎庋b尺寸降至最低。經(jīng)過設(shè)計(jì)，它們與傳統(tǒng)的 XO 管腳兼容，使其成為理想的升級(jí)替代解決方案。
供貨
IDT 的 4M 振蕩器已向合格客戶提供樣品，并提供基于頻率、電壓、輸出類型和工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)封裝的多種配置。
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