安森美半導(dǎo)體推出高性能場(chǎng)截止型IGBT
2012-05-10 13:00:32 本站原創(chuàng)能源價(jià)格不斷上升及圍繞碳排放的環(huán)保因素，持續(xù)帶動(dòng)更高性能功率分立元器件的需求，尤其是在大功率電磁感應(yīng)及變頻器的應(yīng)用。這些新的額定電壓1,200伏(V)的IGBT采用深溝槽技術(shù)及先進(jìn)的晶圓薄化及加工處理技術(shù)，提供極低的關(guān)閉損耗，同時(shí)在導(dǎo)通期間維持低通態(tài)電壓，因而提供更低的開(kāi)關(guān)損耗及導(dǎo)電損耗。這些器件提供15安培(A)、20 A及25 A額定電流等不同選擇，且與極低正向壓降及軟恢復(fù)快速整流器組合封裝，符合客戶(hù)對(duì)高能效的嚴(yán)格要求，同時(shí)為他們提供高空間利用率的完整方案。
安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品分部高級(jí)總監(jiān)兼總經(jīng)理John Trice說(shuō)：“安森美半導(dǎo)體為汽車(chē)應(yīng)用提供高性能及可靠的IGBT已超過(guò)十年，一直是市場(chǎng)上領(lǐng)先的供應(yīng)商。新的1,200 V系列的高性能IGBT充分利用了我們?cè)诟邏簻喜坌图夹g(shù)及晶圓工藝技術(shù)的知識(shí)產(chǎn)權(quán)及能力，同時(shí)為多種終端市場(chǎng)的客戶(hù)提供高質(zhì)量及強(qiáng)固的方案，用于他們講究高能效的電源應(yīng)用。”
封裝及價(jià)格
采用TO-247封裝的場(chǎng)截止型IGBT器件節(jié)省電路板空間，經(jīng)過(guò)優(yōu)化，提供極低的通態(tài)壓降和關(guān)閉開(kāi)關(guān)損耗。NGTB15N120IHLWG、NGTB20N120IHLWG及NGTB25N120IHLWG電磁感應(yīng)加熱專(zhuān)用IGBT每批量2,500片的單價(jià)分別為1.50、1.80及2.00美元。NGTB15N120LWG、NGTB20N120LWG及NGTB25N120LWG電機(jī)驅(qū)動(dòng)專(zhuān)用IGBT每批量2,500片的單價(jià)分別為1.75、2.10及2.35美元。
PCIM – 安森美半導(dǎo)體展位 – 12號(hào)館，371號(hào)展臺(tái) –
安森美半導(dǎo)體于5月8日至10日在PCIM現(xiàn)場(chǎng)展示電磁爐用功率模塊及分立IGBT、高能效電機(jī)驅(qū)動(dòng)及太陽(yáng)能變頻器等產(chǎn)品，地點(diǎn)為德國(guó)紐倫堡展覽中心12號(hào)館371號(hào)展位。
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