Vishay的新一代 TrenchFET® MOSFET再度刷新業內導通電阻最低記錄
2012-05-08 10:06:28 本站原創新系列器件在10V和4.5V下導通電阻低至1.0mΩ和1.35mΩ
賓夕法尼亞、MALVERN
— 2012 年 5 月8 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出其新一代TrenchFET®
Gen IV系列30V n溝道功率MOSFET器件---SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN。這四款器件皆采用了新型高密度設計，在4.5V下導通電阻低至1.35mΩ，Miller電荷Qgd低至1.8nC，采用PowerPAK®
SO-8和1212-8封裝。
新款Vishay Siliconix TrenchFET IV在硅設計、晶圓加工和器件封裝上采用了多項技術改進措施，為功率電子系統設計者提供了諸多好處。與前一代器件相比，SiRA00DP的導通電阻與面積乘積減小了60%，在10V電壓下實現了1.0mΩ的極低RDS(on)，4.5V下1.35mΩ的導通電阻達到業內最佳水準。對于設計者而言，MOSFET的低導通電阻可以實現更低的傳導損耗，減少功率損耗，達到更高的效率。
TrenchFET
Gen IV MOSFET采用了一種新型結構，這種結構實現了非常高密度的設計，而沒有明顯增加柵極電荷，克服了經常在高晶格數量器件上出現的這個問題。今天發布的MOSFET的總柵極電荷較低，使得SiRA04DP在4.5V下導通電阻與柵極電荷乘積優值系數(FOM)降至56nC-Ω。
SiRA00DP、SiRA02DP和SiRA04DP可提高系統效率，降低溫度，采用6.15mm
x 5.15mm PowerPAK® SO-8封裝，SiSA04DN的效率與之相近，3.30mm
x 3.30mm PowerPAK 1212-8封裝的面積只有前三款器件的1/3。今天發布的所有器件的Qgd/Qgs比值僅有0.5或更低。更低的比值可以降低柵極感應電壓，有助于防止擊穿的發生。
SiRA00DP、SiRA02DP、SiRA04DP和SiSA04DN適用于高功率密度DC/DC轉換器、同步整流、同步降壓轉換器和OR-ing應用。典型終端產品包括開關電源、電壓調節模塊(VRM)、POL、通信磚式電源、PC和服務器。
TrenchFET
Gen IV經過了100%的Rg和UIS測試。這些器件符合IEC
61249-2-21的無鹵素規定和RoHS指令。
TrenchFET
Gen IV系列中所有產品的完整詳細數據請訪問：http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iv/。
Vishay Siliconix是業內首家引入Trench MOSFET的供應商。該公司的TrenchFET知識產權包括大量專利，以及可追溯到20世紀80年代早期的基礎技術專利。每一代新的TrenchFET技術生產出來的產品都將各種計算、通信、消費電子和其他應用中功率MOSFET的性能指標提高了相當可觀的數值。
器件規格表：
TrenchFET Gen IV MOSFET現可提供樣品，在2012年1季度實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十二周。
