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富士通半導(dǎo)體推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM

2011-07-19 14:08:38 本站原創(chuàng)
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富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布推出基于0.18 µm 技術(shù)的全新 SPI FRAM產(chǎn)品家族,包括MB85RS256AMB85RS128AMB85RS64A3個型號,并從即日起開始為客戶提供樣片。

 

 

FRAM Ferroelectric Random Access Memory 鐵電隨機存儲器)將SRAM 的快寫與存的非易失性優(yōu)勢集中在一芯片。全新的SPI FRAM家族MB85RSxxx包括3個型號:MB85RS256AMB85RS128AMB85RS64A,分代表256Kbit128Kbit64Kbit三個密度3芯片的工作電壓3.0 3.6V寫周期100億次,數(shù)據(jù)保存在55°C的條件下可達10年,且其工作率大幅提高到最大25MHz由于FRAM產(chǎn)品在寫無需電壓器,非常適合低功率應(yīng)用。該產(chǎn)品提供具有標(biāo)準(zhǔn)存器引腳配置的8引腳封裝,完全兼容E2PROM芯片

 

SPI FRAM產(chǎn)

產(chǎn)品型號

器容量

工作電壓

/擦次數(shù)

數(shù)據(jù)保持

封裝

MB85RS256A

256K bit

3.0—3.6v

-40—85

100

10

SOP-8

MB85RS128A

128K bit

3.0—3.6v

-40—85

100

10

SOP-8

MB85RS64A

64K bit

3.0—3.6v

-40—85

100

10

SOP-8

 

FRAM獨立存芯片可廣泛用于量、工廠自應(yīng)用以及需要數(shù)據(jù)采集、高速寫入和耐久性的行業(yè)對客戶FRAM不僅可以取代所有使用池支持的解決方案,同時也是一款綠色環(huán)保的產(chǎn)。除 SPI FRAM家族之外,富士通半導(dǎo)體提供I²C和并行口的FRAM獨立芯片,密度16Kbit4Mbit不等。此外,富士通還計步擴FRAM合以滿足市需求。憑借領(lǐng)先的技術(shù)開發(fā)和完善的制造工藝,富士通半導(dǎo)體不斷優(yōu)化產(chǎn)品設(shè)計,并加強與工廠的密切合作,為向市場穩(wěn)定地提供高質(zhì)產(chǎn)品打下了基礎(chǔ)。

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