三星電子，‘高性能32GB 3bit存儲卡’實現量產
2011-07-04 21:25:08 本站原創日前，三星電子稱，為了滿足快速發展的智能手機及日漸熱門的大容量便攜式電子設備市場，將從本月起量產業界首款高性能32GB(gigabyte) microSD存儲卡。
據悉，這是繼去年二月三星電子在行業內首次量產采用30納米級 （1納米相當于10億分之一米） 32Gb(bit) 3bit NAND 芯片的32GB microSD產品后，今年再次率先量產采用20 納米級 3bit NAND Flash技術平臺，創造出同等規格中最高技術水平的CLASS10(10MB/秒) 32GB microSD，從而進一步擴大了產品陣容。
記者了解到，新產品收納了20 納米級 3bit NAND Flash和三星獨自設計的3bit 專用控制器，三星的32GB microSD卡的速度也提高了兩倍，與現有的30 納米級 3bit NAND Flash Class4 32GBmicroSD(最快寫入速度每秒7MB)相比，寫入及讀取速度分別提高到每秒12MB和24MB，而且芯片兼具大容量與高性能, 特別適用于4G智能手機。
此外，三星電子產品生產效率提升了30%之多，大大提高了產品競爭力。有專家稱，由于三星半導體的技術優勢和產品競爭力，目前，三星在32GB以上大容量存儲市場的占有率在不斷擴大，預計從2010年到2012年，三星半導體的市場占有率將由11%提升到23%。
三星電子半導體事業部存儲戰略營銷部負責人洪完勛副董事長向記者介紹說，“ 32GB microSD CLASS10內存卡令最近上市的智能手機達到完美速度”。洪完勛也表示，“在未來32GB microSD 市場上，我們的顧客在體驗過32GB microSD CLASS10產品后，我相信他們肯定對大容量存儲卡的性能更加認可和滿意”。
目前，三星電子計劃明年開始量產采用20納米級64Gb 3bit 400Mbps NAND Flash的32GB以上大容量存儲卡，將持續擴展高性能與大容量存儲卡市場。業內人士表示，此舉在NAND Flash市場上持續擴大容量閃存卡比重的同時，將引領閃存卡市場的發展。
[參考資料]
[ 世界手機NAND 閃存芯片市場展望 ]
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|
2010年 |
2011年 |
2012年 |
2013年 |
2014年 |
2015年 |
|
世界內存芯片市場 |
635 |
726 |
805 |
919 |
1,015 |
1,064 |
|
microSD市場 |
622 (98%) |
719 (99%) |
805 (100%) |
919 (100%) |
1,015 (100%) |
1,064 (100%) |
|
32GB以上比重 (*換算) |
11% |
15% |
23% |
29% |
33% |
38% |
(出處:IHS iSuppli 2011.1Q， 百萬個)
