IR推出新款超小型PQFN2x2功率MOSFET
2011-06-18 13:51:17 本站原創(chuàng)國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴展其封裝系列，推出新款的 PQFN 2mm x 2mm封裝。新的封裝采用IR最新的HEXFET MOSFET硅技術(shù)，為一系列的低功耗應用，包括智能手機、平板電腦、攝像機、數(shù)碼相機、筆記本電腦、服務器和網(wǎng)絡通訊設備，提供超小型、高密度和高效率的解決方案。
新款的PQFN2x2器件提供20V、25 V和30 V的選擇，并帶有標準或邏輯水平柵極驅(qū)動器。這些器件只需要4mm2的占位空間，采用IR最新的低電壓 N-通道和P-通道硅技術(shù)，從而達到極低的導通電阻 (RDS(on)) ，以及等同PQFN3.3x3.3或PQFN5x6封裝的高功率密度。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示：“IR的新型PQFN2x2器件進一步擴展IR廣闊的功率 MOSFET系列，也可以滿足我們客戶的需求，進一步縮小封裝尺寸，并結(jié)合基準硅技術(shù)。這些新器件擁有超小尺寸和高密度，非常適合于高度數(shù)字化內(nèi)容相關(guān)的應用。”
這個PQFN2x2系列包括為負載開關(guān)的高側(cè)而優(yōu)化的P-通道器件，帶來一個更簡單的驅(qū)動解決方案。同時，新器件的厚度少于1 mm，使它們與現(xiàn)有的表面貼裝技術(shù)兼容，并且擁有行業(yè)標準的占位空間，還符合電子產(chǎn)品有害物質(zhì)限制指令 (RoHS) 。
產(chǎn)品規(guī)格
|
組件編號 |
配置 |
BV (V) |
最大Vgs (V) |
在10V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
在4.5V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
在2.5V下 典型/最大RDS(on) (mΩ) |
|
IRFHS9301 |
單一 |
-30 |
-20 |
30/37 |
48/60 |
- |
|
IRLHS2242 |
單一 |
-20 |
-12 |
- |
25 / 31 |
43 / 53 |
|
IRLHS6242 |
單一 |
+20 |
+12 |
- |
9.4 / 11.7 |
12.4 / 15.5 |
|
IRLHS6342 |
單一 |
+30 |
+12 |
- |
12 / 16 |
15 / 20 |
|
IRFHS8242 |
單一 |
+25 |
+20 |
10/13 |
17 / 21 |
- |
|
IRFHS8342 |
單一 |
+30 |
+20 |
13/16 |
20 / 25 |
- |
產(chǎn)品現(xiàn)正接受批量訂單。
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