32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM
2010-06-23 18:47:40 本站原創(chuàng)賽普拉斯半導體公司日前推出32-Mbit和64-Mbit快速異步SRAM，開創(chuàng)業(yè)界先河。新的SRAM器件在如此高的密度上，擁有非常快的響應時間和最小化的封裝尺寸。目標應用領(lǐng)域包括存儲服務器、交換機和路由器、測試設備、高端安全系統(tǒng)和軍事系統(tǒng)。
CY7C1071DV33 32-Mbit 3V 和 CY7C1081DV33 64-Mbit 3V快速異步SRAM提供16-bit和8-bit I/O配置。新的32-Mbit和64-Mbit SRAM的訪問時間可達12ns。器件采用符合RoHS標準的48-BGA封裝方式，尺寸分別為8.0 x 9.5 x 1.2 mm 和 8.0 x 9.5 x 1.4 mm，此為同樣存儲密度的最小器件尺寸。新型快速異步SRAM系采用賽普拉斯的高性能90納米C9™ CMOS技術(shù)生產(chǎn)。賽普拉斯是快速異步和低功耗SRAM的行業(yè)領(lǐng)先者，其產(chǎn)品線存儲密度涵蓋從4Kbit到64Mbit的范圍。
賽普拉斯異步存儲事業(yè)部執(zhí)行董事Sunil Thamaran說：“超小型32-Mbit和64Mbit快速SRAM的面世，有力地證明了我們對SRAM事業(yè)所履行的承諾。我們不斷尋求利用深亞微米技術(shù)及設計創(chuàng)新為市場帶來下一代高性能SRAM。”
供貨情況及照片
CY7C1071DV33 32-Mbit目前已投產(chǎn)，CY7C1081DV33 64-Mbit快速異步SRAM正在出樣，預計2010年十月投產(chǎn)。
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