臺積電加速2納米研發(fā)
2020-04-22 13:39:22 中時電子報
臺積電董事長劉德音及總裁魏哲家在年報中也聯(lián)名發(fā)布致股東報告書，提及臺積電去年達成許多里程碑，盡管面臨國際間貿(mào)易緊張局勢所帶來業(yè)務(wù)上的逆風，年度營收依舊連續(xù)10年創(chuàng)下紀錄。臺積電今年在先進制程持續(xù)往5納米及3納米推進，3D先進封裝技術(shù)能提供業(yè)界系統(tǒng)級解決方案，期待5G相關(guān)及高效能運算（HPC）應用的發(fā)展，將會在未來幾年帶動臺積電先進技術(shù)的強勁需求。
臺積電去年晶圓出貨量達1,010萬片12吋晶圓，16納米及以下更先進制程的銷售金額占整體晶圓銷售金額的50％，提供272種不同的制程技術(shù)并為499個客戶生產(chǎn)10,761種不同產(chǎn)品，在晶圓代工市場占有率提升至52％。
此外，臺積電去年持續(xù)增加研發(fā)費用，達到29.6億美元的歷史新高，延續(xù)技術(shù)上的領(lǐng)導地位。臺積電指出，去年5納米制程（N5）進入試產(chǎn)并在今年進入量產(chǎn)，臺積電指出，雖然半導體產(chǎn)業(yè)逼近矽晶的物理極限，N5制程仍遵循摩爾定律，3納米（N3）制程技術(shù)大幅提升芯片密度及降低功耗并維持相同的芯片效能，去年的研發(fā)著重于基礎(chǔ)制程制定、良率提升、晶體管及導線效能改善以及可靠性評估，今年將持續(xù)進行N3制程技術(shù)的全面開發(fā)。
臺積電去年領(lǐng)先半導體產(chǎn)業(yè)進行2納米（N2）制程技術(shù)的研發(fā)，在關(guān)鍵的光刻技術(shù)上開始進行N2以下技術(shù)開發(fā)的先期準備。年報中指出，N5技術(shù)已經(jīng)順利移轉(zhuǎn)，針對N3技術(shù)的開發(fā)，EUV光刻技術(shù)展現(xiàn)優(yōu)異的光學能力與符合預期的芯片良率。臺積電今年將在N2及更先進制程上將著重于改善EUV技術(shù)的品質(zhì)與成本。
展望未來，劉德音及魏哲家認為，5G網(wǎng)絡(luò)在通訊上帶來的顯著進展，將開啟許多不同類型的終端連結(jié)裝置間嶄新的應用模式，并且驅(qū)動數(shù)據(jù)量呈指數(shù)成長。數(shù)位運算如今已逐漸變得無所不在，同時需要大量的運算能力，期待5G相關(guān)及HPC應用的發(fā)展，將會在未來幾年帶動臺積電先進技術(shù)的強勁需求。
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