恩智浦Gen8+ LDMOS RF功率晶體管推動TD-LTE通訊變革
2013-06-21 09:55:26 本站原創恩智浦半導體(NXP Semiconductors N.V.)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管，作為特別關注TD-LTE的無線基站第八代LDMOS產品線的擴展產品。隨著中國開始鋪設全球最大4G網絡，Gen8+的推出將鞏固恩智浦TD-LTE產品組合(目前最完善的TD-LTE LDMOS產品組合)的地位，并且顯著提升性能、靈活性和經濟性。BLC8G27LS-160AV是即將發布的第一款Gen8+器件，這全球最小也最經濟的解決方案，用于有源天線戶外基站(2.6 GHz)的15 W和20 W功率放大器。該設備可同時支持多達5個TD-LTE載波，并提供覆蓋全波段(2.5至2.7 GHz)的高效率。
Gen8+產品組合的一項突破性功能是采用了空腔塑料(ACP)封裝。相比陶瓷封裝，ACP更加經濟、靈活，這意味著各款新產品將能更快和客戶見面。全新ACP封裝還允許使用改進型無源器件，通過降低功耗并增加增益和效率來提升性能。Gen8+還加入了大量其他封裝選項，包括QFN、OMP和陶瓷封裝。
Gen8+產品組合最初設計用于頻率范圍在2300-2700 MHz之間的基站應用。作為現有恩智浦LDMOS產品系列的擴展，Gen8+增加了各個波段功耗水平的范圍，從5瓦到240瓦不等。Gen8+擁有出色的功率和較小尺寸，這意味著它還能進一步節省成本。
恩智浦基站功率放大器產品市場總監Christophe Cugge表示：“該產品組合針對支持TD-LTE網絡的無線基站、Gen8+的發布以及即將在中國鋪設的全球最大4G網絡進行了優化。我們提供最完善的此類RF功率產品，重點關注于讓客戶能夠以最低成本提供最佳品質的服務。Gen8+ LDMOS技術運用恩智浦在RF功率產品領域的深厚積淀，以顯著的低成本提供前所未有的高性能、低功耗和更高效率，發揮出競爭優勢，我們也計劃近期將其拓展到在所有其它制式基站應用中去。”
上市時間
合格用戶可即刻索取Gen8+ ACP產品的工程樣本。BLC8G27LS-160AV和其他Gen8+ LDMOS晶體管的樣本將于2013年第3季度提供。
