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IR推出HEXFET功率MOSFET產(chǎn)品組合

2010-07-05 16:57:53 本站原創(chuàng)

點(diǎn)擊關(guān)注->創(chuàng)芯網(wǎng)公眾號(hào)，后臺(tái)告知EETOP論壇用戶名，獎(jiǎng)勵(lì)200信元

國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱 IR) 拓展了 HEXFET功率 MOSFET 產(chǎn)品組合，提供完整的中壓器件系列，它們采用了5x6 mm PQFN封裝及優(yōu)化銅夾和焊接芯片技術(shù)。

新的功率MOSFET采用了IR最新的硅技術(shù)來實(shí)現(xiàn)基準(zhǔn)性能，適用于網(wǎng)絡(luò)和電信設(shè)備的DC-DC轉(zhuǎn)換器、AC-DC開關(guān)電源（SMPS）及電機(jī)驅(qū)動(dòng)開關(guān)等開關(guān)應(yīng)用。由于新器件滿足40V到250V的寬泛電壓，所以可提供不同水平的導(dǎo)通電阻（RDS(on)）和柵極電荷（Qg），為客戶的特定應(yīng)用提供優(yōu)化的性能和更低成本。

所有器件都具有低熱阻（不到0.5 °C/W），符合MSL1 標(biāo)準(zhǔn)，所采用的環(huán)保材料既不含鉛、溴或鹵，也符合有害物質(zhì)管制指令 (RoHS) 。

產(chǎn)品基本規(guī)格

器件編號(hào)	封裝	電壓	電流	導(dǎo)通電阻	柵極電荷類型	柵極
IRFH5004TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	2.6 mOhm	73 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5006TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	4.1 mOhm	67 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5106TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	5.6 mOhm	50nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5206TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	98A	6.7 mOhm	40 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5406TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	40A	14.4 mOhm	23 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5007TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	100A	5.9 mOhm	65 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5207TRPBF	PQFN 5x6mm	75 V	71A	9.6 mOhm	39 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5010TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	9.0 mOhm	65 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5110TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	63A	12.4 mOhm	48 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5210TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	55A	14.9 mOhm	39 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5015TRPBF	PQFN 5x6mm	150 V	56A	31 mOhm	33 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRFH5020TRPBF	PQFN 5x6mm	200 V	41A	59 mOhm	36 nC	標(biāo)準(zhǔn)
IRLH5034TRPBF	PQFN 5x6mm	40 V	100A	最大2.4 mOhm	43 nC	邏輯電平
IRLH5036TRPBF	PQFN 5x6mm	60 V	100A	最大4.4 mOhm	44 nC	邏輯電平
IRLH5030TRPBF	PQFN 5x6mm	100 V	100A	最大9.0 mOhm	44 nC	邏輯電平